中国のメモリ半導体メーカーChangXin Memory Technologies（CXMT）が次世代DRAM向けセル設計の進展を明らかにし、世界のメモリ関連株に売りが広がった。中国勢の技術追い上げが想定より早まるとの見方から、Samsung ElectronicsやSK hynix、Micronなど大手メモリメーカーへの警戒感が強まっている。

米CNBCによると、CXMTは週末、新たなメモリセルアーキテクチャの開発で重要な進展があったと公表した。より小さな面積に、より多くのデータを格納できる設計だという。

この報道を受け、米国のプレマーケットではMicron株が3.7％下落した。韓国株式市場でもSK hynixが10％、Samsung Electronicsが7.4％下落した。SanDisk、Seagate、Western Digitalなど半導体・ストレージ関連銘柄にも売りが波及した。

市場が注目したのは、CXMTが技術格差を縮める可能性だ。公表された設計は、メモリセル面積を小さくして記憶密度を高める「4F2」技術に基づくものとされる。

SK hynixも2025年に同技術の開発ロードマップを示している。中国企業が次世代メモリ技術で想定以上に早く成果を上げれば、業界上位勢の競争優位が揺らぐとの見方が株価に織り込まれた格好だ。

AIデータセンターの拡大で高性能メモリ需要が増すなか、中国勢の技術追随は業界全体の重荷になり得る。HBMなど先端メモリ市場でも競争激化が意識され、投資家は既存大手の技術優位がどこまで維持されるかを注視している。

もっとも、今回の設計面での進展が、直ちに量産競争力やHBM市場への参入につながるとみるのは難しい。

CXMTは中国メモリ産業の中核企業として存在感を高めている。2016年設立で、本社は安徽省合肥市に置く。7月には上海証券取引所の科創板に上場した。

上場後は、公募価格である1株49元を約4％下回る水準まで下落したものの、時価総額は3兆4600億人民元に達した。中国テック大手Tencentの時価総額（3兆8700億人民元）に迫る規模とされる。

市場シェアも拡大している。HSBCが9日に公表したリポートによると、CXMTの世界DRAM市場シェアは約10％となり、1年前の約4％から大きく伸びた。

米国の対中輸出規制で先端半導体製造装置の調達に制約があるなかでもシェアを拡大したことで、競合各社の警戒感は一段と強まっている。

ただ、CXMTが乗り越えるべき技術的ハードルはなお高い。米国の輸出規制によって先端製造装置へのアクセスは制限されており、ASMLのEUV露光装置の確保も容易ではない。

先端設計技術を実際の製品に落とし込み、安定した歩留まりと生産性を確保する工程も別の課題として残る。

それでもCXMTは、2026年末までに新セルアーキテクチャを基盤とするサーバー向けメモリ製品を投入する計画だと伝えられている。投資家は、技術開発が製品化と量産につながるかに加え、既存大手との性能・価格競争でどこまで成果を上げられるかを見極めようとしている。

海外販売網の拡大も重要な変数だ。Citiのアナリストは8月のリポートで、米政府が中国製メモリの米国内販売を認める可能性は低いとしつつ、欧州など他地域のデータセンター市場にCXMT製品が浸透すれば、Micronなど既存企業に間接的な影響が及ぶ可能性があると分析した。

中国内需中心だった製品が海外市場に広がれば、世界のメモリ供給競争は一段と激しくなる可能性がある。

Appleの動向にも注目が集まる。英Financial Timesは7月、関係者の話として、Appleが中国向け製品への採用を念頭にCXMT製DRAMを試験しており、米政府に対してCXMT製品をより幅広く利用できるよう許可を求めたと報じた。

実際に採用に至れば、CXMTは安定需要を確保すると同時に、製品信頼性を高める機会を得る可能性がある。

今回のメモリ株急落は、中国企業の技術開発に関するニュースが世界の半導体市場の競争構図に与える影響の大きさを改めて示した。設計面での進展が量産成果に結び付くかはなお見極めが必要だが、シェア拡大と海外市場進出の可能性が重なることで、Samsung Electronics、SK hynix、Micronといった既存勢の競争負担は増している。

今後のメモリ市場では、AI需要拡大による成長期待に加え、中国勢の技術追随と供給拡大の可能性も主要な変動要因として意識されそうだ。