Kioxiaは、512バイトのランダム読み込みで2000万IOPS超を実証するSSD技術を披露した。既存製品を大きく上回る性能を示し、AIデータセンター向けの高速ストレージ開発を進める姿勢を鮮明にした。

TechRadarによると、Kioxiaは12日、GPシリーズの強化モデルを公開し、512バイトのデータブロックにおけるランダム読み込みで2000万IOPS超を実証した。8月に発表したGP1の約1000万IOPSに対し、約2倍の水準となる。

IOPSは、ストレージが1秒間に処理できる入出力回数を示す指標。数値が高いほど、小容量データのランダムアクセス性能に優れる。

性能向上の中核となったのは、第3世代のXL-FLASHメモリだ。前世代比で読み込み性能は3倍、書き込み性能は約150％向上した。内部配線を短縮して信号遅延を抑えたほか、メモリダイ当たりのプレーン数を増やしたことが特徴という。

Kioxiaは、この技術をGPUが大規模データへ高速にアクセスするためのAI向けストレージに活用する考えだ。高価なDRAMや広帯域メモリ（HBM）を代替するのではなく、メモリ容量を補完する高速ストレージ階層としての利用を想定している。

既存のGP1はPCIe 6.0とNVMe 2.2に対応し、最大50DWPDの耐久性を備える。一方、今回の強化モデルについては、対応インタフェースや耐久性、発売時期は明らかにしていない。現時点では技術デモにとどまるとしている。

Kioxiaはあわせて、データセンター向け大容量SSD「LD4」も披露した。218層のBiCS 8 QLC NANDフラッシュを採用し、容量は15.36TBと30.72TBを用意する。設計上は最大122.88TBまで拡張できるという。

LD4は一部顧客向けに評価用サンプルを提供しているが、実際の読み書き速度や耐久性は公表していない。AIインフラの拡大を背景に、ストレージ業界では高性能化と大容量化を巡る競争が一段と激しくなっている。