随着韩国半导体晶圆厂扩产步伐加快，配套用水基础设施需求也在同步上升。对晶圆厂而言，能否在既定选址获得所需水量，正逐渐成为资本开支落地前必须优先确认的关键条件。

从用水规模看，韩国晶圆厂已处于难以与其他大型基础设施直接类比的水平。Kyobo Securities数据显示，按2025年统计口径，Samsung Electronics全球总取水量为1.977亿吨，其中约90%来自半导体业务；SK hynix同期取水量为1.17亿吨。相比之下，Amazon披露的全球数据中心直接取水量为950万吨。

在这一基础上，新一轮扩产还将进一步推高用水需求。今年6月，韩国政府提出“三大超级项目”，将Yongin和西南圈晶圆厂扩产列为投资主轴。Kyobo Securities指出，用水保障和管网审批许可是主要制约因素之一，在韩国，水源能否落实往往是项目推进首先要跨过的一道门槛。

正因如此，晶圆厂内部水回用系统的重要性正在上升。超纯水主要用于晶圆清洗，是工厂内洁净度要求最高的用水，理论上需达到18.2MΩ·cm的电阻率标准。即便仅残留万亿分之一量级的金属离子或微粒，也可能引发线路图形塌陷或器件缺陷。

在此背景下，通过反渗透（RO）、离子交换等工艺，将使用后的水处理后重新达到超纯水标准，并把回用率提升至90%以上的零液体排放（ZLD）高阶水处理方案，正成为大型晶圆厂基础设施建设的重要选项之一。

与此同时，涵盖原水取水、预处理、超纯水供应、废水处理到回用的全流程一体化系统设计，也在行业内加快应用。业内普遍认为，若仅围绕单台设备进行优化，在降低能耗和药剂成本方面的空间相对有限；只有将工艺设计与后续运营一并纳入整体方案，才能兼顾系统稳定性与经济性。

随着先进制程持续微缩，单位晶圆的用水需求还在进一步上升。行业消息称，引入极紫外（EUV）光刻后，芯片结构3D化以及多层金属布线增加，带动化学机械抛光（CMP）次数上升；抛光后残留物清洗需求也随之增加，后清洗工序更频繁地被追加，导致单片晶圆的超纯水消耗显著提升。

此外，单台耗电在1至1.5MW以上的EUV设备，需要通过冷却塔进行降温，蒸发损耗也成为晶圆厂用水消耗中的重要组成部分。随着3D NAND堆叠层数提升至300层以上，用于氮化膜蚀刻的高纯磷酸用量增加，也进一步推升了废液回收和再利用需求。

超纯水标准如今也正从晶圆厂本体延伸至供应商制造环节。一位超纯水设备企业人士表示，随着设备厂商需要直接证明产品性能，其制造工艺达到客户晶圆厂标准已成为“生存策略”；如果未经超纯水精密清洗的设备直接交付晶圆厂，设备本身就可能成为污染源，进而导致制程延误和良率下滑。

从全球范围来看，晶圆厂普遍更早布局再生水配套设施。TSMC位于中国台湾台南的再生水工厂，可将半导体产业废水回收处理至超纯水等级，目前日供水量为2万吨，并计划提升至6.7万吨。Samsung Electronics则在引入地方政府污水处理厂出水后，通过管网输送至晶圆厂水处理设施，再进一步制备为超纯水。

不过，在供水配套落地时间上，韩国相关项目仍存在一定时差。Yongin综合管网一期31万吨供水能力规模预计于2031年投运供水，Samsung国家产业园二期60万吨供水能力规模预计于2035年投运供水。与“5年内将半导体产能提升至2倍”的目标相比，正式供水时间点之间仍有间隔。

Kyobo Securities分析称，相关项目由政府主导推进，供给被取消的可能性较低，但在与地方政府协商以及审批推进过程中，仍可能出现延误。该机构还指出，随着Yongin和西南圈扩产推进，回用水和超纯水基础设施需求也将同步扩大；“水竞争力”不仅是半导体产能扩张的前置核查条件，也将带动整个水基础设施价值链需求上升。