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SK hynix加快扩产：龙仁Y1进度达87%，Y2和M17投资计划落定
SK hynix正加快推进内存产能扩张和园区配套建设。韩国龙仁半导体集群首座晶圆厂Y1工程进度已达87%，Y2和清州M17的投资规模、开工时间及首个洁净室投运节点也已明确。与此同时，公司位于美国印第安纳州的39亿美元先进封装厂将正式动工，政府也在推动园区电力等基础设施建设提速。
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SK hynix将在龙仁、清州新建两座晶圆厂 总投资约54万亿韩元
SK hynix决定在京畿道龙仁和忠清北道清州分别新建DRAM与NAND晶圆厂，总投资约54万亿韩元。两大项目将分阶段推进，以应对AI带动的存储需求增长，并依托清州现有园区基础设施加快落地。
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SK hynix创纪录业绩难挡股价重挫，资本开支与股东回报成市场焦点
SK hynix在二季度财报电话会议上将全年资本开支指引上调至40万亿韩元高位区间，并披露多项产能扩张和生产基地规划。市场随之聚焦折旧上升、DRAM与NAND Flash ASP回落风险、长期供货协议（LTA）对价格弹性的约束，以及股东回报方案仍未落地等问题。公司表示，扩产将以已确认需求为基础并灵活推进，股东回报方案将在年内择机对外披露。
