SK hynix正在加快内存产能扩张步伐。龙仁半导体集群首座晶圆厂已进入收尾阶段，后续晶圆厂的投资规模与开工时间表也相继明确。

据业内消息，SK hynix将于27日在美国印第安纳州为先进封装工厂举行开工仪式，项目投资规模为39亿美元。与此同时，韩国国内的龙仁半导体集群建设也在提速，其中首座晶圆厂Y1工程进度已达87%；Y2和清州M17两座后续工厂的投资计划也已敲定，合计规模约54万亿韩元。此外，政府推动的西南地区半导体集群电网建设时间表本月也已提前1年。

SK hynix于本月7日召开董事会，决定向龙仁半导体集群第二座晶圆厂Y2投资35.2万亿韩元，向清州M17投资19.1万亿韩元。这也是公司6月披露中长期投资计划后的进一步落实。

其中，Y2将作为DRAM生产设施，建筑总面积为34.1万坪，计划生产包括高带宽内存（HBM）在内的新一代DRAM。该项目预计于明年7月开工，2029年6月首个洁净室投入使用，整体投资将持续至2031年10月。清州M17则定位为NAND闪存生产设施，建筑总面积为20.6万坪，计划于明年2月开工，目标是在2028年12月实现首个洁净室投运。

从整体规划来看，SK hynix正在进一步压缩建设周期。公司此前已决定，将原定于2045年完成的龙仁集群4座晶圆厂建设提前至2033年，整体进度较原计划提前12年。

与此同时，园区基础设施配套也在同步提速。据业内消息，政府已于11日将西南地区半导体产业园电网建设完成时间由2029年末提前至2028年末。作为园区用地配套安排之一，光州军用机场相关功能的临时迁移时间则计划定在2028年年中。

建设节奏提前，背后主要是对内存需求持续增长的判断。市场研究机构Omdia预计，从去年到2030年，DRAM和NAND需求的年均增速均将达到19%。Mirae Asset Securities也预计，内存市场供需偏紧的状态将持续至2028年，其中DRAM平均销售价格（ASP）将在2026年和2027年分别上涨188%和23%。该机构同时指出，长期供货协议（LTA）占比已超过50%，行业业绩波动性正在减弱。

从更长期看，尽管市场仍关注来自中国的新增供给变量，但现阶段实际影响依然有限。Mirae Asset Securities表示，中国厂商实现HBM3级别自给，市场判断仍需约两年时间；与此同时，若中国CXMT为弥补相关缺口而将产能转向HBM，相关产能占比可能升至目前的4倍左右，反而可能压缩通用DRAM的供应。

随着投资计划逐步落地，相关建设需求也有望同步释放。iM Securities预计，SK hynix龙仁半导体集群4座晶圆厂合计建筑面积约600万平方米，按单座工厂约20万亿韩元工程规模测算，4座工厂对应的工程金额合计约80万亿韩元。

在政策层面，政府也在加快审批流程。针对龙仁半导体集群工厂扩建，政府计划引入单独许可制度，以推动总额4.3万亿韩元的待批投资尽快落地，并通过完善建筑许可制度，加快约2.5万亿韩元投资项目推进。对于西南地区总规模1万亿韩元的半导体供水项目，政府也正推动免于预备可行性研究。

不过，电力供应仍是影响项目进度的关键变量。为龙仁集群供电的1100公里超高压输电线路计划，目前仍面临沿线居民反对。用于支持三大超级项目的“超级特区特别法”虽以年内制定为目标，但其中备受关注的每周52小时工作制例外条款仍处于搁置状态。

对SK hynix而言，西南地区半导体集群能否按期开工，将直接影响后续供给节奏能否按计划衔接。目前，西南地区晶圆厂用地的供电时间点定在2028年末，光州军用机场相关功能的临时迁移则安排在2028年年中。业内人士表示，具体建设方案尚未最终确定，但只要电力和用水方案落实，项目推进速度仍有望进一步加快。