SK hynix 7日宣布，将在京畿道龙仁和忠清北道清州新建两座晶圆厂。公司当天经董事会审议决定，向龙仁“Y2”投资35.2万亿韩元，向清州“M17”投资19.1万亿韩元，合计约54.3万亿韩元。

根据规划，龙仁Y2将建设为DRAM生产基地，清州M17则定位为NAND生产基地。随着AI服务快速普及，存储需求持续上升，存储厂商扩产步伐也随之加快。

此次投资是对SK hynix今年6月公布的中长期投资规划的具体落实。按照此前规划，公司拟向龙仁半导体集群投资600万亿韩元，向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁首座晶圆厂“Y1”正在建设中，目标于明年2月启用首个洁净室。原定于2045年完成的集群建设计划，已提前至2033年完工，整体进度较原计划提前12年。

市场研究机构Omdia预计，从2025年起至2030年，DRAM和NAND市场需求年均增速均将达到19%。SK hynix表示，在AI时代，竞争力不仅体现在技术上，也体现在能否在客户需要时及时供应足量产品。公司是在对市场需求进行细致评估后，作出此次投资决定。

龙仁Y2是龙仁半导体集群规划中的第二座晶圆厂，总建筑面积为34.1万坪，计划建设为DRAM生产基地。项目预计于明年7月开工，2029年6月启用首个洁净室，未来将生产包括HBM在内的新一代DRAM。相关投资将分阶段推进至2031年10月。与此同时，为满足Y2投产需求而建设的一期电力和用水基础设施，目前工程进度已达99%，进入收尾阶段。

在NAND业务方面，随着AI服务加速扩散，企业级存储设备所需的企业级SSD需求快速增长，用于AI推理的KV缓存需求也同步上升。SK hynix之所以将清州选为新的NAND生产基地，主要是因为当地具备更快推进建厂的条件。清州园区目前已拥有NAND晶圆厂M11、M12和M15，可与现有产线形成协同，土地、电力和用水等配套条件也相对完善。M17总建筑面积为20.6万坪，计划于明年2月开工。

M17的投资将持续至2031年4月，并按照项目进度分阶段执行。SK hynix表示，公司将基于中长期需求，先行建设生产基础设施，后续再根据客户需求释放节奏逐步扩产，洁净室扩建和设备导入也将结合市场需求变化依次推进。

SK hynix相关人士表示，此次投资旨在把握与市场增长节奏相匹配的机会。公司将通过提前布局生产基础，强化其在全球AI半导体供应链中的稳定供给角色，并争取成为AI基础设施领域的核心合作伙伴。