SK hynix 29日发布业绩公告称，公司2026年第二季度实现营收79.3187万亿韩元，营业利润为60.5426万亿韩元，同比分别增长256.8%和557.2%，营业利润率达到76%。继上一季度之后，公司季度业绩再次刷新历史纪录。

从上半年整体表现看，SK hynix累计营收达到131.8950万亿韩元，历史上首次突破100万亿韩元；累计营业利润为98.1529万亿韩元，较上年同期的16.6534万亿韩元增长489.4%。

公司表示，第二季度DRAM和NAND价格延续上一季度涨势，高带宽存储器（HBM）、AI服务器DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品销量扩大，带动整体盈利能力进一步改善。

截至第二季度末，公司现金及现金等价物为88万亿韩元，较上一季度末增加33.6万亿韩元；借款规模减少0.7万亿韩元至18.6万亿韩元，净现金增至69.4万亿韩元。

对于市场需求，公司分析称，随着AI向智能体方向演进，内存需求基础正在进一步扩大，AI内存与通用内存同步增长的结构性变化已开始显现。

同时，随着大型科技企业持续加码AI基础设施投资，追加供货需求也在不断释放。SK hynix认为，相关投资建立在AI服务收入增长基础之上，内存需求的上行趋势有望延续。

在客户合作方面，SK hynix表示，已与包括核心客户在内的10余家客户就长期供货协议（LTA）完成谈判，并正与行业主要客户继续推进进一步磋商。公司计划通过多年期合同提升运营效率，并增强中长期业务稳定性和增长基础。

产品方面，HBM4已在客户要求的运行速度、行业领先的能效和成本竞争力之间实现平衡，并于第二季度启动量产出货。公司表示，下半年将加快扩大HBM4产量。HBM4E则已于上半年完成样品交付，采用兼顾技术成熟度和量产稳定性的工艺方案。

在NAND业务上，321层产品已成为整体产量中占比最高的产品。公司计划到今年年底将其在韩国本土产能中的占比提升至约50%，并将加快向先进工艺转换，围绕大容量和高性能产品进一步优化产品组合。

产能与投资方面，SK hynix表示，已将M15X量产时间表提前，并同步推进相关投资，以便在2027年初龙仁一期晶圆厂洁净室启用后迅速扩大产能。至于先进封装工厂P&T7、NAND生产基地M17以及新半导体集群建设等中长期投资计划，公司将结合客户需求和投资效率分阶段推进。