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HBM堆叠冲向16层以上，三大存储厂评估自HBM4起导入混合键合

随着HBM堆叠层数向16层以上演进，存储厂商正加快评估自HBM4及后续产品导入混合键合，以应对厚度控制和信号传输方面的瓶颈。受成本与良率因素影响，Advanced MR-MUF短期内仍可能继续沿用。与此同时，量产合作伙伴的选择也可能重塑TC键合与混合键合设备的供应格局。

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ADTechnology签下美国AI企业数据中心芯粒turnkey合同，总额400亿韩元

ADTechnology宣布，已与一家美国AI Fabless企业签署总额400亿韩元的turnkey合同，项目涉及面向数据中心的HPC SoC芯粒开发及供货。该项目采用Samsung Foundry 4nm工艺，结合新一代HBM与2.5D封装技术，计划于2026年第四季度完成流片，并以2028年实现全球量产为目标推进。