搜索关键词 1c工艺
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Samsung Electronics与SK hynix HBM4E供样时间拉开差距，量产节点成关键变量
Samsung Electronics与SK hynix在HBM4E推进节奏上出现差异。Samsung Electronics表示将于二季度提供首批样品，并公布16Gbps、4.0TB/s等性能指标；SK hynix则计划在下半年送样，并以2027年量产为目标。两家公司均采用1c工艺，但竞争重点分别落在性能规格与量产稳定性上，后续扩产节奏也将影响市场份额走势。
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SK hynix评估重构长期供货协议：价格让位于供货保障
SK hynix表示，正评估长期供货协议（LTA）的新框架，客户当前更关注供货保障而非价格。公司一季度营收与利润大幅增长，并预计今年资本开支将较去年明显增加，推进HBM4、321层QLC等产品布局。市场认为，若相关方案进入实质执行阶段，或有助于降低业绩波动，并重塑内存行业估值预期。
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SK hynix一季度营业利润同比增405%，营收首破50万亿韩元
SK hynix 23日披露，一季度实现营收52.5763万亿韩元、营业利润37.6103万亿韩元，同比分别增长198%和405%，营业利润率升至72%，创纪录新高。公司表示，AI基础设施投资持续扩大，带动HBM、大容量服务器DRAM和eSSD等高附加值产品销售增长；截至季末，净现金规模达到35万亿韩元。
