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SK hynix发布iHBM技术：在HBM封装内嵌散热结构
SK hynix发布新一代HBM散热技术iHBM，将一体化冷却元件嵌入HBM封装内部，并在D2D PHY等高发热区域单独构建散热通道。公司表示，该结构可将热阻较现有方案降低30%以上，并可基于已验证的MR-MUF工艺导入量产，计划自HBM5等后续产品起逐步应用。
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中东能源供应风险升温，轨道数据中心进入AI基础设施视野
美国与伊朗冲突引发市场对中东能源供应中断的担忧，地面数据中心的供电稳定性面临更大压力。国际能源署预计，到2030年全球数据中心用电量将增至945TWh（2024年为415TWh）。随着发射成本持续下降，依靠自身发电的轨道数据中心正被视为AI基础设施的新方向，Nvidia等企业已公开相关计划。
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Applied Materials发布2nm及以下GAA工艺新方案，发力晶体管性能与能效提升
Applied Materials在首尔发布面向2nm及以下工艺的GAA技术方案，推出Viva自由基处理系统、Sym3 Z Magnum刻蚀系统和Centris Spectral钼ALD系统，重点提升纳米片原子级处理能力、晶体管性能及能效。公司表示，相关设备已被多家领先晶圆代工厂和逻辑芯片制造商采用。
