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JEDEC上调HBM4封装厚度上限，Samsung Electronics与SK hynix重估HBM4混合键合导入时点
JEDEC将HBM4封装厚度上限从720μm上调至约775μm，为16层HBM4堆叠新增55μm空间，也使“HBM4必须导入混合键合”的行业判断出现变化。SK hynix更倾向继续沿用并升级MR-MUF工艺，以优先确保良率；Samsung Electronics则重新评估率先导入混合键合的必要性。受此影响，供应链中混合键合设备导入节奏有所后移，既有封装工艺及晶圆测试等检测设备订单则出现前置迹象。
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AI芯片竞争转向系统级集成：CPU、GPU与内存协同成关键
AI芯片竞争正从单一GPU性能比拼，转向CPU、GPU与内存的一体化封装和系统级优化。随着推理与Agentic AI扩散，CPU和DPU需求同步上升，GPU与CPU配比由过去的8:1降至约4:1。Nvidia正强化CPU产品线并提升机架级集成能力，HBM等高带宽内存的重要性也持续提升，SK hynix、Samsung Electronics有望受益。
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Samsung Electronics率先量产并出货HBM4，预计2026年HBM营收较2025年增长3倍以上
Samsung Electronics宣布率先实现新一代高带宽存储器HBM4量产并出货。该产品传输速率达11.7Gbps，能效较上一代提升约40%，总带宽最高约3.3TB/s，容量覆盖24GB至36GB。公司预计，2026年HBM营收将较2025年增长3倍以上，并正提前扩充HBM4产能。
