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SK hynix提出“全栈AI内存”战略 发力3D堆叠与系统级共设计
SK hynix在“2026 SK hynix未来论坛”上发布“全栈AI内存”战略，提出从单一存储器件供应商转向参与AI系统设计。公司称，随着Agentic AI推动容量、带宽和存储层级瓶颈加速显现，未来将围绕3D堆叠DRAM、HBM、HBF等产品进行按负载组合，并与生态伙伴开展系统级共设计。
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SK hynix向主要客户送样12层HBM4E
SK hynix宣布，已向主要客户送样面向AI加速器的下一代高性能DRAM——12层HBM4E。该产品较HBM4在性能与能效方面进一步提升，每引脚速率最高达16Gbps，能效提高逾20%。采用Advanced MR-MUF工艺后，12层堆叠容量可达48GB，热阻较HBM4降低约17%。
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SK hynix CEO Kwak Noh-jung：加快导入AI技术，强化内存速度竞争力
SK hynix CEO Kwak Noh-jung在新年致辞中表示，公司将继续巩固AI内存领域的技术领先地位，并加快AI技术导入，强化速度竞争力。尽管2025年创下历史最佳业绩，随着AI需求趋于常态化、行业竞争加剧，公司仍需迎接新挑战，并将在SKMS框架下坚持以盈利为中心的经营、加大面向未来的投资。