SK hynix ngày 29/7 cho biết đã hoàn tất đàm phán hợp đồng cung ứng dài hạn (LTA) với hơn 10 khách hàng, bao gồm cả các đối tác chủ chốt. Song song đó, công ty đang tiếp tục thương thảo với khách hàng về sản lượng và giá HBM cho năm 2027.

Theo SK hynix, LTA thường có thời hạn 5 năm. Thỏa thuận này bao gồm cam kết mua hàng từ phía khách hàng cùng các cơ chế tài chính, như ký quỹ, nhằm bảo đảm việc thực hiện hợp đồng. Qua đó, nhà sản xuất bộ nhớ có thể chốt trước một phần sản lượng trong chu kỳ 5 năm và tăng độ chắc chắn trong khâu thực thi.

Phát biểu tại cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý II/2026 ngày 29/7, ông Song Hyun-jong, phụ trách Corporate Center của SK hynix, cho biết LTA lần này không chỉ đơn thuần là thỏa thuận về sản lượng. Theo ông, đây còn là khuôn khổ hợp tác nhằm ổn định nguồn cung trung và dài hạn, đồng thời hỗ trợ phát triển các dòng bộ nhớ thế hệ mới phù hợp với lộ trình công nghệ của khách hàng. Công ty cho biết vẫn đang tiếp tục trao đổi với các khách hàng lớn trong ngành.

SK hynix dự báo tình trạng cung - cầu thắt chặt trên thị trường bộ nhớ sẽ còn kéo dài. Công ty nhận định độ phức tạp trong sản xuất HBM và bộ nhớ cho máy chủ AI ngày càng tăng, trong khi việc xây dựng cơ sở sản xuất mới cần nhiều thời gian chuẩn bị, khiến cán cân cung - cầu khó sớm cải thiện. Trong bối cảnh đó, nhu cầu từ khách hàng đối với nguồn cung ổn định trong trung và dài hạn đang tăng rõ rệt.

Về giá, SK hynix cho biết cấu trúc giá trong các LTA được thiết kế theo nhiều cơ chế khác nhau tùy khách hàng và đặc tính sản phẩm, nhằm ứng phó với biến động của thị trường. Công ty không công bố tỷ trọng doanh thu đến từ LTA, nhưng cho biết sẽ duy trì ở mức phù hợp, cân nhắc diễn biến thị trường và nhu cầu khách hàng. Mục tiêu là vừa tăng độ ổn định cho kết quả kinh doanh, vừa giữ đủ linh hoạt để tận dụng nhu cầu bổ sung khi thị trường thuận lợi.

SK hynix cho biết đã xây dựng được nền tảng lợi nhuận ổn định với trọng tâm là HBM, dựa trên các quan hệ hợp tác dài hạn với những khách hàng AI lớn như Nvidia. Để nâng năng lực đáp ứng, công ty đã đẩy sớm lịch sản xuất hàng loạt tại M15X, đồng thời triển khai đầu tư để có thể nhanh chóng mở rộng công suất sau khi phòng sạch giai đoạn 1 của fab tại Yongin đi vào hoạt động đầu năm 2027. Quy mô đầu tư năm nay được dự báo ở ngưỡng cuối của 40 nghìn tỷ won.

HBM4 đã bắt đầu được xuất xưởng hàng loạt từ quý II. Theo SK hynix, tỷ lệ thành phẩm hiện đã tiệm cận mức của thế hệ sản phẩm trước ở giai đoạn ổn định về yield và chất lượng. Đây là chỉ số khó đạt trong giai đoạn đầu tăng tốc của một sản phẩm mới, đồng thời là nền tảng để mở rộng sản xuất trong nửa cuối năm. Công ty khẳng định HBM4 đáp ứng yêu cầu của khách hàng về tốc độ vận hành, hiệu quả điện năng và khả năng cạnh tranh về chi phí.

Đối với HBM4E, SK hynix cho biết đã hoàn tất việc cung cấp mẫu cho các khách hàng chủ chốt trong nửa đầu năm. Công ty đang áp dụng quy trình có độ hoàn thiện công nghệ cao và phù hợp cho sản xuất hàng loạt, đồng thời tiếp tục phát triển sản phẩm với mục tiêu sản xuất quy mô lớn từ năm 2027.

Ở thế hệ công nghệ tiếp theo, SK hynix đang phát triển iHBM cùng công nghệ hybrid bonding. Theo công ty, đây là công nghệ tích hợp yếu tố làm mát vào bên trong gói sản phẩm, giúp giảm điện trở nhiệt hơn 30% so với trước, qua đó hướng tới kiểm soát nhiệt cho các thế hệ mới như HBM5.

Trước nhận định rằng năng lực cạnh tranh HBM của đối thủ đang cải thiện nhanh, SK hynix cho rằng chỉ đạt hiệu năng cao là chưa đủ để tạo ra lợi thế cạnh tranh hoàn chỉnh. Dù không nêu đích danh, đối thủ được nhắc tới là Samsung Electronics. Gần đây, Samsung Electronics đã nhanh chóng hoàn tất việc xuất xưởng mẫu và bước vào giai đoạn chuẩn bị sản xuất hàng loạt, khác với giai đoạn cạnh tranh ở HBM3E.

SK hynix nhấn mạnh năng lực cạnh tranh trong HBM phải bao gồm khả năng cung ứng đại trà với hiệu năng theo yêu cầu khách hàng, đi kèm yield ổn định và chất lượng đồng đều. Công ty cho rằng lợi thế tích lũy về thời điểm ra thị trường, hiệu năng sản phẩm, yield trong sản xuất hàng loạt, chất lượng và mức độ tin cậy từ khách hàng là những khác biệt khó có thể hình thành trong thời gian ngắn. Theo SK hynix, HBM là dòng sản phẩm có giá trị gia tăng cao, nên nếu phát sinh lỗi, chi phí mà khách hàng phải gánh và tác động lên toàn bộ hệ thống sẽ rất lớn.

Về kế hoạch kinh doanh cho năm 2027, SK hynix cho biết đang thảo luận với các khách hàng chủ chốt về sản lượng cung ứng và giá HBM. Công ty thừa nhận đà tăng giá của DRAM phổ thông có thể ảnh hưởng nhất định tới đàm phán giá HBM, nhưng nhấn mạnh giá HBM không được quyết định chỉ dựa trên biến động của DRAM phổ thông. Theo doanh nghiệp, HBM đòi hỏi mức đầu vào lớn hơn về wafer, quy trình tiên tiến, năng lực TSV và đóng gói, trong khi độ phức tạp trong phát triển và chứng nhận cũng tăng lên theo từng thế hệ. Các điều khoản hợp đồng và mức giá cụ thể theo từng khách hàng không được công bố.

Ở mảng NAND flash, SK hynix cho biết đang mở rộng danh mục sản phẩm. Khi thị trường AI dịch chuyển từ trọng tâm huấn luyện sang suy luận, NAND ngày càng trở thành thành phần cốt lõi trong tầng bộ nhớ của hệ thống AI. Công ty đặt mục tiêu đáp ứng nhu cầu tại các mảng như AI data lake, khu vực thay thế ổ cứng HDD bằng eSSD dung lượng lớn dựa trên QLC, đồng thời phát triển các sản phẩm lưu trữ AI mới cho các ứng dụng như KV cache offloading.

Trong quý III, SK hynix dự kiến lượng xuất xưởng DRAM sẽ tăng khoảng 10% so với quý trước, còn NAND flash tăng ở mức đầu một chữ số. Công ty dự báo bit growth trong nửa cuối năm sẽ cao hơn nửa đầu năm, nhờ mở rộng sản lượng HBM4 và tăng xuất xưởng DRAM phổ thông trên tiến trình 1c nm. Theo SK hynix, việc mở rộng doanh số HBM4 và nâng tỷ trọng sản phẩm giá trị gia tăng sẽ hỗ trợ blended ASP.

Trong quý II, ASP của DRAM tăng khoảng 30%, trong khi ASP của NAND flash tăng ở mức khoảng giữa 50%. Công ty cho rằng việc sản lượng đã được chốt trước thông qua LTA và quá trình tăng tốc sản xuất HBM4 sẽ tác động ra sao trong mặt bằng giá hiện tại vẫn là biến số đối với kết quả kinh doanh nửa cuối năm.