SK hynix ngày 29/7 công bố kết quả kinh doanh quý II với doanh thu 79.318,7 tỷ won và lợi nhuận hoạt động 60.542,6 tỷ won, tăng lần lượt 256,8% và 557,2% so với cùng kỳ năm trước. Biên lợi nhuận hoạt động đạt 76%.

Đây là mức cao nhất từng được ghi nhận theo quý, tiếp tục vượt kỷ lục thiết lập ở quý trước. Lũy kế 6 tháng đầu năm, doanh thu của hãng đạt 131.895 tỷ won, lần đầu vượt mốc 100.000 tỷ won. Lợi nhuận hoạt động lũy kế đạt 98.152,9 tỷ won, tăng 489,4% so với cùng kỳ năm ngoái, từ mức 16.653,4 tỷ won.

Theo SK hynix, giá DRAM và NAND flash trong quý II đều tăng mạnh so với quý trước. Việc mở rộng doanh số ở các dòng sản phẩm giá trị gia tăng cao như HBM, DRAM cho máy chủ AI và eSSD đã góp phần cải thiện đáng kể lợi nhuận.

Tính đến cuối quý II, tiền và các khoản tương đương tiền của công ty đạt 88.000 tỷ won, tăng 33.600 tỷ won so với cuối quý trước. Nợ vay giảm 700 tỷ won, xuống còn 18.600 tỷ won, qua đó nâng quy mô tiền mặt ròng lên 69.400 tỷ won.

SK hynix nhận định khi AI phát triển theo hướng tác nhân, cơ sở nhu cầu đối với bộ nhớ đang ngày càng mở rộng. Công ty cho biết thị trường đang xuất hiện những thay đổi mang tính cấu trúc, khi nhu cầu đối với cả bộ nhớ AI lẫn bộ nhớ truyền thống cùng tăng.

Doanh nghiệp cũng cho rằng việc các tập đoàn công nghệ lớn đẩy mạnh đầu tư vào hạ tầng AI đang kéo theo nhu cầu tăng thêm về nguồn cung. Theo SK hynix, đà tăng của nhu cầu bộ nhớ nhiều khả năng sẽ tiếp diễn, do các khoản đầu tư này được hậu thuẫn bởi doanh thu từ dịch vụ AI.

SK hynix cho biết đã hoàn tất đàm phán các hợp đồng cung ứng dài hạn (LTA - Long Term Agreement) với hơn 10 đối tác, trong đó có các khách hàng chủ chốt. Công ty đồng thời tiếp tục trao đổi bổ sung với các khách hàng lớn trong ngành và kỳ vọng các hợp đồng nhiều năm sẽ giúp nâng hiệu quả vận hành, tăng độ ổn định cũng như củng cố nền tảng tăng trưởng trung và dài hạn.

Với HBM4, SK hynix cho biết đã đồng thời đáp ứng yêu cầu của khách hàng về tốc độ vận hành, đạt hiệu suất năng lượng hàng đầu ngành và duy trì năng lực cạnh tranh về chi phí. Công ty đã bắt đầu giao hàng sản phẩm sản xuất hàng loạt từ quý II và sẽ tăng mạnh sản lượng trong nửa cuối năm.

Đối với HBM4E, SK hynix cho biết đã hoàn tất cung cấp mẫu trong nửa đầu năm. Sản phẩm này được phát triển trên quy trình tối ưu nhằm bảo đảm độ hoàn thiện công nghệ và sự ổn định trong sản xuất hàng loạt.

Ở mảng NAND, sản phẩm 321 lớp hiện chiếm tỷ trọng lớn nhất trong tổng sản lượng. Công ty dự kiến nâng tỷ lệ này lên mức tương đương 50% công suất sản xuất vào cuối năm, đồng thời đẩy nhanh quá trình chuyển đổi sang quy trình tiên tiến để củng cố danh mục theo hướng dung lượng lớn và hiệu năng cao.

SK hynix cũng đang đẩy sớm kế hoạch sản xuất hàng loạt tại M15X, đồng thời triển khai đầu tư để có thể nhanh chóng mở rộng công suất sau khi phòng sạch tại fab Yongin giai đoạn 1 đi vào hoạt động đầu năm 2027. Các kế hoạch đầu tư trung và dài hạn, gồm nhà máy đóng gói tiên tiến P&T7, cơ sở sản xuất NAND M17 và việc xây dựng cụm bán dẫn mới, sẽ được triển khai theo từng giai đoạn dựa trên nhu cầu khách hàng và hiệu quả đầu tư.