Samsung Electronics ngày 23/6 cho biết đã phát triển thành công UFS 5.0, chuẩn bộ nhớ nhúng mới nhất của JEDEC, đánh dấu lần đầu tiên chuẩn này được phát triển thành công trong ngành. Sản phẩm hướng đến các thiết bị AI chạy trực tiếp trên thiết bị, trong bối cảnh nhu cầu về hiệu năng lưu trữ trên di động ngày càng tăng.

UFS 5.0 được xây dựng trên nền tảng V-NAND thế hệ thứ 9 của Samsung Electronics. Theo công ty, sản phẩm đạt tốc độ đọc tuần tự 10,8GB/s và ghi tuần tự 9,5GB/s, gần gấp đôi UFS 4.1 ở cả hai chỉ số.

Hiệu quả năng lượng cũng được cải thiện đáng kể. Samsung Electronics cho biết đã áp dụng công nghệ clock gating để ngắt xung tại các mạch không sử dụng, cùng công nghệ đa điện áp nhằm tối ưu điện áp theo từng mạch và giảm mức tiêu thụ điện. Nhờ đó, hiệu quả năng lượng của UFS 5.0 tăng hơn 40% so với UFS 4.1.

Về thiết kế, gói sản phẩm có kích thước 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm, nhỏ hơn 16,7% so với phiên bản trước. UFS 5.0 hỗ trợ dung lượng tối đa 1 TB, đồng thời mang lại độ linh hoạt cao hơn trong thiết kế để mở rộng khả năng tích hợp không chỉ trên smartphone mà còn trên kính XR và thiết bị đeo AI.

Samsung Electronics dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt UFS 5.0 từ quý IV năm nay. Công ty cũng lên kế hoạch mở rộng nguồn cung từ smartphone cao cấp sang các thiết bị thế hệ tiếp theo như kính XR và thiết bị đeo AI.

Ông Choi Jang-seok, Phó chủ tịch kiêm Trưởng nhóm hoạch định sản phẩm thuộc mảng kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics, cho biết trong kỷ nguyên AI chạy trực tiếp trên thiết bị, bộ nhớ lưu trữ không còn đơn thuần là nơi chứa dữ liệu mà đã trở thành yếu tố cốt lõi quyết định trải nghiệm AI. Theo ông, việc hoàn tất phát triển UFS 5.0 đầu tiên trong ngành sẽ giúp Samsung Electronics tiếp tục dẫn dắt đổi mới trong lĩnh vực di động AI và thiết lập chuẩn mới cho bộ nhớ di động thế hệ tiếp theo.