SK hynix ngày 18/6 cho biết đã gửi mẫu HBM4E 12 tầng tới các khách hàng lớn trong phân khúc bộ nhớ dành cho bộ tăng tốc AI. Đây là dòng DRAM hiệu năng cao hướng tới các hệ thống AI thế hệ mới.

HBM4E là thế hệ mới nhất của HBM, dòng bộ nhớ băng thông cao được cấu trúc theo dạng xếp chồng nhiều lớp chip để tăng tốc xử lý dữ liệu. So với HBM4, phiên bản HBM4E được nâng đồng thời về hiệu năng và hiệu quả năng lượng.

Theo SK hynix, sản phẩm đạt tốc độ truyền dữ liệu tối đa 16 Gbps trên mỗi chân I/O và cải thiện hơn 20% hiệu quả năng lượng. HBM4E được tối ưu cho các tác vụ huấn luyện và suy luận AI.

Công ty cho biết HBM4E sử dụng giao diện mới cùng các cải tiến thiết kế nhằm giảm độ trễ truyền dữ liệu, đồng thời duy trì độ ổn định hoạt động trong môi trường băng thông lớn. SK hynix kỳ vọng sản phẩm sẽ nâng hiệu quả xử lý của các trung tâm dữ liệu AI thế hệ mới và các hệ thống tính toán quy mô lớn.

Với HBM4E, SK hynix áp dụng quy trình Advanced MR-MUF, tức là bơm vật liệu bảo vệ mạch sau khi xếp chồng chip rồi làm cứng. Nhờ đó, sản phẩm đạt dung lượng 48 GB ở cấu trúc 12 tầng. Điện trở nhiệt cũng giảm khoảng 17% so với HBM4, qua đó tăng độ ổn định của bộ nhớ trong môi trường tính toán hiệu năng cao.

Ông Ahn Hyun, người đứng đầu mảng phát triển tại SK hynix, cho biết công ty tiếp tục duy trì năng lực công nghệ và năng lực sản xuất hàng loạt thuộc nhóm dẫn đầu ngành với HBM4E. Ông nhấn mạnh SK hynix sẽ phối hợp với các đối tác để sớm hiện thực hóa những giá trị mà thị trường cần, đồng thời củng cố vai trò dẫn dắt công nghệ với tư cách một “nhà sáng tạo bộ nhớ AI full stack”.