Samsung Electronics ngày 29/5 cho biết đã xuất xưởng mẫu HBM4E 12 tầng đầu tiên tới các khách hàng toàn cầu. Động thái này diễn ra chỉ vài tháng sau khi công ty đưa HBM4 vào sản xuất hàng loạt. Theo kế hoạch, Samsung sẽ triển khai sản xuất hàng loạt HBM4E theo lịch trình của khách hàng.

Theo Samsung Electronics, HBM4E có tốc độ hoạt động cơ bản 14Gbps trên mỗi pin và hỗ trợ tối đa 16Gbps, cao hơn 20% so với HBM4. Tính trên mỗi stack, sản phẩm đạt băng thông 3,6TB/s.

Phiên bản HBM4E 12 tầng có dung lượng 48GB, tăng hơn 30% so với thế hệ trước. Công ty cũng dự kiến mở rộng danh mục với bản 32GB (8 tầng) và 64GB (16 tầng).

Samsung cho biết hiệu suất năng lượng của sản phẩm được cải thiện 16%, trong khi đặc tính nhiệt được nâng 14% so với thế hệ trước. Kết quả này đến từ thiết kế điện năng thấp và cấu trúc đóng gói được tối ưu.

Sản phẩm sử dụng DRAM 1c, tức tiến trình DRAM 10nm thế hệ thứ sáu, vốn đã được áp dụng trên HBM4, cùng với đế logic 4nm do bộ phận foundry nội bộ sản xuất. Do cấu hình này đã được kiểm chứng trong quá trình sản xuất hàng loạt HBM4, thị trường đánh giá cao khả năng chuyển sang sản xuất hàng loạt của HBM4E. Theo công ty, cấu trúc này giúp đồng thời bảo đảm độ ổn định của quy trình và tỷ lệ thành phẩm.

Samsung Electronics cho biết đã xuất xưởng lô HBM4 sản xuất hàng loạt đầu tiên trên thế giới vào tháng 2 và hiện tiếp tục mở rộng nguồn cung cho khách hàng. Tháng 12 năm ngoái, trong bài kiểm tra System-in-Package (SiP) ở giai đoạn chứng nhận cuối cùng, sản phẩm ghi nhận tốc độ 11,7Gbps và đạt đánh giá cao nhất. Công ty cho hay các khách hàng toàn cầu đã đưa ra phản hồi tích cực về HBM4, cả về tốc độ lẫn hiệu quả điện năng.

Trong thời gian tới, Samsung Electronics sẽ tiếp tục củng cố tính ổn định của chuỗi cung ứng dựa trên giải pháp turnkey one-stop, bao phủ bộ nhớ, foundry, System LSI và đóng gói tiên tiến.

Ông Hwang Sang-jun, Phó chủ tịch phụ trách phát triển mảng kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics, cho biết: “Sau khi đưa HBM4 vào sản xuất hàng loạt, chúng tôi tiếp tục hoàn tất suôn sẻ việc cung cấp mẫu HBM4E thế hệ tiếp theo, qua đó củng cố vị thế dẫn đầu công nghệ của Samsung Electronics trên thị trường”.

Ông cho biết thêm công ty sẽ tiếp tục dẫn dắt đà tăng trưởng của thị trường bộ nhớ AI toàn cầu thông qua khoảng cách công nghệ vượt trội và các khoản đầu tư chủ động vào hạ tầng sản xuất.