Ngành chip nhớ Trung Quốc đang tiến sâu hơn vào thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM), khi ChangXin Memory Technologies (CXMT) thúc đẩy kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM3 và dự kiến chuyển khoảng 20% công suất sang dòng sản phẩm này. Động thái trên làm gia tăng lo ngại rằng áp lực giá có thể xuất hiện ở nhóm HBM thế hệ thấp hơn và DRAM phổ thông, qua đó ảnh hưởng đến biên lợi nhuận của các nhà sản xuất Hàn Quốc.

Theo nguồn tin trong ngành, CXMT đang cung cấp mẫu thử cho các nhà phát triển chip AI của Trung Quốc, trong đó có Huawei, với mục tiêu sản xuất hàng loạt HBM3 vào cuối năm 2026. Tom's Hardware cùng một số nguồn tin nước ngoài cho biết công ty dự kiến dành khoảng 60.000 wafer HBM3 mỗi tháng, tương đương gần 20% tổng công suất 300.000 wafer/tháng trong năm 2026.

Ngoài CXMT, Wuhan Xinxin Semiconductor (XMC), Yangtze Memory Technologies (YMTC) và doanh nghiệp đóng gói JCET cũng đang tham gia quá trình nội địa hóa chuỗi cung ứng HBM tại Trung Quốc.

Dù vậy, trong ngắn hạn Trung Quốc vẫn khó thu hẹp khoảng cách với Hàn Quốc. DigiTimes nhận định lộ trình thương mại hóa HBM3 của CXMT vẫn thiếu chắc chắn, còn khả năng sản xuất hàng loạt ngay trong năm 2026 là không cao.

Một trở ngại khác là tốc độ cải thiện yield có thể chậm nếu doanh nghiệp chỉ sử dụng hoàn toàn thiết bị nội địa. Do không thể tiếp cận thiết bị quang khắc EUV, CXMT cũng bị hạn chế về mặt công nghệ khi phải dựa vào kỹ thuật multi-patterning.

Tuy nhiên, điều thị trường lo ngại không chỉ nằm ở việc Trung Quốc gia nhập phân khúc HBM3, mà còn ở khả năng CXMT tái phân bổ công suất theo hướng gây sức ép lên giá bán. Theo giới quan sát, công ty này từng bán DDR4 với mức giá chỉ bằng khoảng một nửa giá thị trường, đồng thời tận dụng giai đoạn thiếu hụt nguồn cung toàn cầu để mở rộng mạnh nhóm DRAM legacy cho thiết bị di động và PC.

Một số phân tích cho rằng nếu 20% công suất được chuyển sang HBM, phần công suất đó sẽ không còn được phân bổ cho DDR5 dùng cho PC, laptop hay LPDDR5X. Khi đó, nguồn cung DRAM tiêu chuẩn sẽ thu hẹp trong lúc nguồn cung bộ nhớ phục vụ AI tăng lên, qua đó làm gia tăng khả năng hình thành một vòng cạnh tranh giá mới ở phân khúc HBM trung và thấp.

Hiện tâm điểm lạc quan của ngành chip nhớ Hàn Quốc vẫn là biên lợi nhuận gộp cao ở HBM4. Theo TrendForce, SK hynix và Samsung Electronics được dự báo ghi nhận biên lợi nhuận gộp 63-67% trong quý IV/2025, lần đầu tiên sau 7 năm vượt TSMC, doanh nghiệp đang duy trì mức 60%.

TrendForce cho biết ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn hiện phân bổ 18-28% công suất DRAM cho HBM. Điều này khiến nguồn cung bộ nhớ phổ thông bị siết lại và trở thành động lực chính đẩy giá tăng mạnh.

Tuy nhiên, cấu trúc này có thể bắt đầu xuất hiện rủi ro khi Trung Quốc bước vào HBM3. Trong báo cáo về ngành HBM quý I, TrendForce dự báo chênh lệch giá bán bình quân (ASP) giữa HBM3E và DDR5 phổ thông sẽ thu hẹp đáng kể trong năm 2026.

Thế mạnh hiện nay của ngành bán dẫn Hàn Quốc nằm ở ba yếu tố: lợi thế công nghệ ở HBM4, năng lực cung ứng cho các bộ gia tốc AI như Nvidia Vera Rubin, và xu hướng tăng giá của DRAM phổ thông. Song nếu CXMT sản xuất hàng loạt HBM3 thành công, áp lực giá có thể xuất hiện trước tiên ở dải sản phẩm trung và thấp.

CXMT cũng đã cho thấy khả năng cạnh tranh bằng giá khi bán DDR4 ở mức chỉ bằng khoảng một nửa mặt bằng thị trường, làm dấy lên khả năng chiến lược tương tự sẽ được lặp lại với HBM3. Trong bối cảnh thị trường bộ gia tốc AI nội địa Trung Quốc mở rộng quanh dòng Huawei Ascend, nếu CXMT giành được thị phần HBM3 trong nước rồi từng bước mở rộng ra thị trường toàn cầu, biên lợi nhuận của nhóm sản phẩm từ HBM3E trở xuống có thể bị thu hẹp nhanh chóng.

Quan điểm trong ngành hiện vẫn chia rẽ. Một số ý kiến cho rằng các biện pháp kiểm soát xuất khẩu của Mỹ đối với Trung Quốc sẽ hạn chế khả năng vươn ra toàn cầu của CXMT, từ đó giảm tác động trực tiếp lên doanh nghiệp Hàn Quốc.

Dù vậy, trong ghi chú về triển vọng năm 2026 của SK hynix được TrendForce trích dẫn, một số nhà phân tích và truyền thông nước ngoài cảnh báo giá HBM có thể bước vào giai đoạn điều chỉnh sau năm 2026 do cạnh tranh gia tăng và công suất tiếp tục mở rộng. SK hynix trước đó cũng nêu giá bán, nguồn cung và địa chính trị là ba rủi ro lớn của năm 2026.

Một đại diện trong ngành nhận định trong ngắn hạn, biên lợi nhuận cao từ HBM4 và HBM4E vẫn sẽ là động lực chính cho kết quả kinh doanh. Tuy nhiên, về trung và dài hạn, biến số quan trọng sẽ là thời điểm CXMT ổn định sản xuất HBM3 và tốc độ mở rộng công suất. Theo người này, câu hỏi then chốt là khi nào áp lực suy giảm biên lợi nhuận ở nhóm HBM thế hệ thấp hơn và DRAM phổ thông sẽ thực sự bộc lộ.