POSCO Future M ngày 20/5 cho biết đã làm chủ công nghệ sản xuất hàng loạt anode silicon và đặt mục tiêu thương mại hóa vật liệu này từ năm 2028. Theo công ty, sản phẩm do hãng phát triển có khả năng lưu trữ năng lượng cao gấp hơn 4 lần so với anode graphite, đồng thời vượt qua rào cản lớn nhất trong quá trình thương mại hóa là hiện tượng giãn nở thể tích khi sạc và xả.

Anode silicon được đánh giá có mật độ năng lượng cao hơn và hỗ trợ sạc nhanh tốt hơn so với anode graphite. Nhu cầu đối với vật liệu này được dự báo sẽ tăng mạnh, chủ yếu ở các dòng pin hiệu năng cao, công suất lớn dùng cho xe điện, robot và các thiết bị tương tự. Khi đưa vào pin, anode silicon thường được phối trộn với anode graphite.

POSCO Future M cho biết đã xác nhận khả năng duy trì hơn 80% dung lượng ban đầu sau 1.000 chu kỳ sạc - xả, ngay cả khi tỷ lệ phối trộn anode silicon được nâng lên 20% hoặc cao hơn. Trong bối cảnh tỷ lệ phối trộn hiện nay trên thị trường mới ở mức một chữ số, kết quả này cho thấy khả năng đồng thời đáp ứng yêu cầu về dung lượng cao và độ bền vận hành dài hạn.

Theo công ty, giãn nở thể tích trong quá trình sạc - xả từ lâu là thách thức cốt lõi cản trở việc thương mại hóa anode silicon. Để khắc phục vấn đề này, viện nghiên cứu công nghệ của POSCO Future M đã áp dụng công nghệ nano hóa silicon cùng công nghệ vật liệu composite carbon độc quyền.

Ông Hong Young-jun, Giám đốc Viện Nghiên cứu Công nghệ của POSCO Future M, cho biết anode silicon là vật liệu thế hệ mới mang tính then chốt, có thể quyết định hiệu năng pin. Công ty sẽ tiếp tục dựa trên năng lực công nghệ vật liệu tích lũy cùng kinh nghiệm sản xuất hàng loạt để cung cấp giải pháp tối ưu cho khách hàng và củng cố năng lực cạnh tranh trên thị trường toàn cầu.