Samsung Electronics và SK hynix đang tăng tốc cuộc đua HBM4E, nhưng chọn hai lộ trình khác nhau. Samsung xác nhận sẽ gửi mẫu thử đầu tiên trong quý II, trong khi SK hynix dự kiến cung cấp mẫu trong nửa cuối năm và hướng tới sản xuất hàng loạt vào năm 2027. Cả hai cùng đặt nền tảng trên tiến trình 1c DRAM thế hệ thứ sáu, thuộc nhóm 10nm, song chiến lược cạnh tranh lại không giống nhau.

Tại cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý I ngày 30/4, Samsung Electronics lần đầu công khai lịch trình và một số thông số chính của HBM4E. Công ty cho biết đang đẩy nhanh công tác chuẩn bị thương mại hóa dòng HBM thế hệ mới, với tốc độ 16Gbps mỗi pin và băng thông 4,0TB/s, đồng thời đặt mục tiêu gửi lô mẫu đầu tiên ngay trong quý II.

Điểm đáng chú ý là Samsung đưa ra khá sớm các chỉ số hiệu năng cụ thể. Doanh nghiệp cho biết đang tiếp tục chuẩn bị cho thế hệ kế tiếp dựa trên năng lực công nghệ tích lũy trong quá trình phát triển HBM4.

Trong khi đó, SK hynix đưa ra thông điệp khác. Công ty cho biết đang phối hợp chặt chẽ với các khách hàng lớn từ giai đoạn đầu, dự kiến cung cấp mẫu trong nửa cuối năm và chuẩn bị cho mục tiêu sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Nếu chỉ xét mốc gửi mẫu, SK hynix chậm hơn Samsung khoảng một đến hai quý. Tuy nhiên, SK hynix công bố rõ thời điểm sản xuất hàng loạt, còn Samsung chưa nêu mốc này. Trong ngành bộ nhớ, khoảng cách từ giai đoạn gửi mẫu đến sản xuất hàng loạt thường còn phụ thuộc vào quy trình chứng nhận của khách hàng và việc ổn định tỷ lệ thành phẩm. Vì vậy, chênh lệch về thời điểm gửi mẫu chưa chắc dẫn tới khoảng cách tương ứng ở giai đoạn thương mại hóa quy mô lớn.

Việc cả hai cùng sử dụng tiến trình nền tảng tương tự đang khiến thị trường hình thành thế cạnh tranh trực diện ở thế hệ HBM mới. Dù vậy, mỗi bên lại chọn một điểm nhấn khác nhau để tạo khác biệt.

Samsung Electronics tập trung vào hiệu năng sản phẩm. Công ty cho biết ngay từ HBM4 đã áp dụng tiến trình tiên tiến nhất thuộc nhóm 10nm để nâng thông số kỹ thuật, và theo đánh giá của hãng, lợi thế hiệu năng này đã chuyển hóa thành mức giá bán cao hơn. Việc công bố sớm các thông số 16Gbps và 4,0TB/s cho HBM4E cho thấy Samsung nhiều khả năng tiếp tục theo đuổi chiến lược đó.

Ngược lại, SK hynix nhấn mạnh độ ổn định trong sản xuất hàng loạt và khả năng tối ưu base die. Trả lời câu hỏi từ Citigroup, công ty cho biết hiệu năng hàng đầu ngành được xây dựng trên hai yếu tố cốt lõi là tối ưu hóa base die và ứng dụng tiến trình 1c thuộc nhóm 10nm. SK hynix cũng khẳng định năng lực sản xuất 1c của hãng đã bước vào giai đoạn trưởng thành, từ đó có thể cung ứng HBM4 và HBM4E đúng thời điểm với hiệu năng ổn định và sản lượng vững chắc.

Thay vì công bố chi tiết các chỉ số hiệu năng, SK hynix dồn trọng tâm vào năng lực sản xuất và khả năng đảm bảo tiến độ cung ứng. Base die là lớp linh kiện nằm dưới cùng trong cấu trúc xếp chồng của HBM, đóng vai trò như bộ điều khiển bộ nhớ; mức độ tối ưu của bộ phận này ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu quả điện năng và khả năng xử lý tín hiệu của toàn bộ sản phẩm.

Một biến số quan trọng khác là kết quả giành thị phần ở giai đoạn HBM4, bởi đây có thể trở thành bàn đạp cho cuộc đua HBM4E. Samsung Electronics cho biết đã bắt đầu xuất xưởng HBM4 sản xuất hàng loạt từ tháng 2, sớm nhất trong ngành. Công ty dự báo doanh thu HBM4 từ quý III năm nay sẽ vượt quá một nửa doanh thu HBM, và trong cả năm 2026 cũng có thể chiếm tỷ trọng trên 50%. Samsung cho biết toàn bộ công suất đã chuẩn bị hiện đều đã được tiêu thụ hết.

SK hynix cũng cho biết nhu cầu thị trường đối với HBM4 đã hiện rõ. Công ty khẳng định lượng cầu từ khách hàng trong ba năm tới đã vượt xa năng lực cung ứng hiện tại. Điều này đồng nghĩa nhu cầu cho giai đoạn ba năm tới, bao gồm cả HBM4E, đã cao hơn công suất sẵn có. Điểm chung giữa hai doanh nghiệp là tình trạng cung không theo kịp cầu đang dần trở thành xu hướng mang tính cấu trúc ngay từ thế hệ HBM4.

Trong bối cảnh đó, tốc độ mở rộng công suất trở thành yếu tố then chốt tiếp theo. SK hynix đã quyết định đẩy sớm thời điểm vận hành fab 1 tại Yongin từ tháng 5/2027 lên tháng 2, tức sớm hơn ba tháng. Công ty cho biết hiện chưa có kế hoạch xây dựng thêm ngoài Yongin, nhưng sẽ rà soát kỹ toàn bộ hạ tầng sản xuất để có thể linh hoạt ứng phó với đà tăng nhu cầu mang tính cấu trúc trong kỷ nguyên AI.

Samsung Electronics cũng cho biết nhu cầu cho năm 2027 đã được đặt trước, qua đó phát đi tín hiệu rằng nhu cầu mở rộng công suất sẽ còn tăng. Trong khi HBM có thể nâng sản lượng cùng với DRAM, việc mở rộng thêm năng lực đóng gói back-end vẫn cần thời gian riêng. Vì vậy, thời điểm ra quyết định tăng công suất được xem là yếu tố có thể ảnh hưởng trực tiếp đến thị phần sau năm 2027.

Tiến độ HBM4E của các đối thủ toàn cầu, trong đó có Micron, cũng là một ẩn số của thị trường. Tuy nhiên, trong các cuộc họp công bố kết quả kinh doanh gần đây, cả Samsung Electronics lẫn SK hynix đều không đề cập trực tiếp tới lịch trình của đối thủ.

Giới quan sát cho rằng năm 2027, thời điểm HBM4E bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt, có thể trở thành cột mốc phân định lại thị phần ở thế hệ HBM tiếp theo. Việc Samsung đẩy nhanh thời điểm gửi mẫu có đủ để tạo lợi thế trong giai đoạn giành khách hàng ban đầu hay không, cũng như khả năng SK hynix thu hẹp khoảng cách nhờ thế mạnh về độ ổn định sản xuất, sẽ là những điểm đáng chú ý. Một nguồn tin trong ngành nhận định, kết quả mà hai hãng đạt được với HBM4E có thể một lần nữa định hình lại cục diện dẫn dắt công nghệ bộ nhớ toàn cầu.