Samsung Electronics cho biết NAND flash và foundry đang nổi lên như hai động lực tăng trưởng tiếp theo, trong bối cảnh mảng bộ nhớ của hãng trước đó chủ yếu được dẫn dắt bởi HBM và DRAM. Công ty đang tăng tốc danh mục SSD Gen6 để đón nhu cầu lưu trữ AI, đồng thời cho biết các cuộc thảo luận về đơn hàng foundry 2 nm cho AI HPC đang tiến triển rõ ràng hơn.

Động lực mới của thị trường NAND đến từ Nvidia. Tại GTC, Nvidia đưa ra kiến trúc như CMX, trong đó dữ liệu phát sinh từ quá trình suy luận AI không chỉ được lưu trên HBM mà còn mở rộng sang hệ thống lưu trữ dựa trên NAND. Lý do là mô hình phụ thuộc nhiều vào HBM và DRAM chi phí cao ngày càng chịu áp lực về giá thành và dung lượng. Diễn biến này được xem là tín hiệu cho thấy NAND, phân khúc từng bị lo ngại về nguy cơ thua lỗ, có thể trở lại nhóm hưởng lợi từ làn sóng AI.

Theo Samsung Electronics, nhu cầu với các giải pháp lưu trữ hiệu năng cao như SSD TLC dùng PCIe Gen6 sẽ tăng lên. Tại cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý I ngày 30/4, công ty cho biết đã hoàn tất khâu chuẩn bị cho sản xuất hàng loạt các giải pháp lưu trữ NAND siêu hiệu năng dựa trên Gen6, không chỉ dừng ở Gen5. Hãng cũng cho biết các mẫu Gen6 giai đoạn đầu đã nhận phản hồi tích cực từ các khách hàng chủ chốt nhờ hiệu năng vượt trội. Mục tiêu của Samsung là giành nhu cầu thị trường Gen6 trong giai đoạn đầu, tập trung vào máy chủ AI và trung tâm dữ liệu từ nửa cuối năm nay.

Ở phân khúc QLC, Samsung Electronics cũng đang mở rộng danh mục sản phẩm. Tháng 3, hãng hoàn tất phát triển QLC 2TB, tạo nền tảng để mở rộng các dòng dung lượng rất lớn như SSD máy chủ 256TB và nâng năng lực đáp ứng thị trường. Song song với đó, công ty đẩy nhanh quá trình chuyển đổi sang V9. Theo đánh giá của hãng, khi tỷ trọng lưu trữ trong hệ thống AI tăng lên, nhu cầu giảm độ trễ trong quá trình di chuyển dữ liệu giữa HBM, DRAM và thiết bị lưu trữ cũng sẽ gia tăng.

Sự phục hồi của NAND có ý nghĩa trực tiếp đối với độ ổn định lợi nhuận của toàn bộ mảng bộ nhớ. Trong khi DRAM và HBM đang dẫn dắt chu kỳ tăng trưởng của thị trường bộ nhớ, NAND lại gây sức ép lên biên lợi nhuận do giá bán yếu. Nếu nhu cầu lưu trữ trong hạ tầng AI tăng tốc, NAND có thể trở thành trụ cột lợi nhuận thứ hai bên cạnh DRAM.

Ở mảng foundry, triển vọng đơn hàng cũng đang rõ hơn. Samsung Electronics cho biết hãng đang tích cực thảo luận hợp tác 2 nm với nhiều khách hàng lớn trong lĩnh vực AI HPC và kỳ vọng sớm đạt được kết quả cụ thể với một số đối tác. So với quý trước, thông điệp về tiến độ đơn hàng lần này đã rõ ràng hơn. Bối cảnh là nguồn cung bộ nhớ ngày càng thắt chặt, khiến nhu cầu từ các khách hàng muốn đồng thời bảo đảm cả năng lực bộ nhớ lẫn foundry trở nên rõ nét hơn.

Tiến độ tại nhà máy Taylor ở Mỹ cũng đã được cụ thể hóa. Theo Samsung Electronics, Fab 1 đã tổ chức lễ lắp đặt thiết bị vào ngày 23/4. Công ty đặt mục tiêu vận hành trong năm 2026, bắt đầu sản xuất hàng loạt từ năm 2027 và sau đó từng bước mở rộng công suất 2 nm. Với Fab 2, hãng đang xem xét bước đầu phương án xây dựng song song với quá trình thảo luận đơn hàng cùng khách hàng toàn cầu. Năng lực sản xuất tiến trình tiên tiến tại Mỹ được đánh giá là có ý nghĩa trong việc ứng phó với rủi ro thuế quan.

Samsung Electronics cũng đang đẩy nhanh mở rộng ứng dụng. Base die cho HBM4 trên tiến trình 4 nm đã được ghi nhận có hiệu năng tốt, qua đó kéo theo nhu cầu đối với node 4 nm. Với các khách hàng trong lĩnh vực ôtô và robot tại châu Mỹ và Trung Quốc, công ty đang thảo luận việc áp dụng tiến trình 2 nm và 4 nm. Ở mảng trung tâm dữ liệu, nhu cầu với silicon photonics cũng tăng nhanh. Samsung cho biết sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt từ nửa cuối năm 2026 cho các dự án hợp tác với các doanh nghiệp lớn sản xuất mô-đun truyền thông quang.

Ở các tiến trình cũ, công ty đồng thời triển khai tái cơ cấu. Samsung Electronics cho biết sẽ tập trung năng lực vào nhu cầu chuyên biệt có giá trị gia tăng cao, đồng thời thu hẹp mạnh các tiến trình có sức cạnh tranh thấp. Các dòng CIS và DDI sẽ được chuyển công suất sang 27 nm, trong khi các dây chuyền wafer 8 inch đang sản xuất hàng loạt các sản phẩm như PMIC, DDI và CIS sẽ lần lượt đóng cửa.

Việc NAND và foundry cùng phục hồi gắn liền với mục tiêu giảm phụ thuộc vào một trụ cột duy nhất của Samsung Electronics. Lợi nhuận hoạt động quý I của hãng chủ yếu được hỗ trợ bởi đà tăng giá của DRAM và HBM. Trong bối cảnh công ty cần thêm nguồn đóng góp lợi nhuận để phòng trường hợp chu kỳ giá của hai dòng sản phẩm này đảo chiều, tín hiệu cải thiện đồng thời ở NAND và foundry được xem là diễn biến đáng chú ý.

Dù vậy, hai mảng này vẫn cần thêm thời gian để đóng góp đáng kể vào kết quả kinh doanh. Với foundry, đơn hàng 2 nm hiện mới dừng ở mức kỳ vọng sẽ sớm có kết quả cụ thể, trong khi doanh thu từ SSD Gen6 của NAND được dự báo sẽ tăng mạnh từ nửa cuối năm. Theo đánh giá của thị trường, thời điểm nhà máy Taylor bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2027 có thể trở thành bước ngoặt cho đà phục hồi của mảng phi bộ nhớ.