Samsung Electronics ngày 30/4 cho biết toàn bộ công suất sản xuất HBM trong năm 2026 đã được đặt kín, đồng thời công ty đã bắt đầu tiếp nhận nhu cầu cho năm 2027. Tại cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý I, hãng nhận định khoảng cách cung - cầu của thị trường HBM trong năm 2027 có thể còn căng thẳng hơn năm 2026.

Theo Samsung Electronics, khả năng đáp ứng nguồn cung hiện ở mức thấp nhất từ trước đến nay so với nhu cầu thị trường. Trong bối cảnh nguồn hàng sẵn có vẫn rất hạn chế, lượng cung thực tế còn cách khá xa nhu cầu của khách hàng. Khác với những năm trước, nhiều khách hàng đã đặt trước nhu cầu cho năm 2027 do lo ngại thiếu hàng.

Công ty đánh giá làn sóng mở rộng đầu tư vào hạ tầng AI đang làm thay đổi căn bản cấu trúc nhu cầu trên thị trường bộ nhớ.

Doanh thu HBM cũng đang tăng nhanh. Samsung Electronics dự báo doanh thu HBM trong năm 2026 sẽ tăng hơn 3 lần so với năm trước.

HBM4 được xác định là động lực tăng trưởng chủ lực. Samsung Electronics cho biết đã bắt đầu xuất xưởng HBM4 sản xuất hàng loạt từ tháng 2, sớm nhất trong ngành.

Công ty dự kiến từ quý III năm nay, HBM4 sẽ đóng góp hơn một nửa doanh thu HBM; tính cho cả năm 2026, tỷ trọng này cũng sẽ vượt 50%. Như vậy, chỉ khoảng 6 tháng sau khi xuất xưởng, HBM4 đã bước vào giai đoạn tăng tốc về doanh thu.

Theo Samsung Electronics, nhu cầu đang tập trung vào HBM4 nhờ lợi thế hiệu năng. Công ty cho biết đã nâng các thông số hiệu năng của HBM4 thông qua việc áp dụng tiến trình lớp 1 nm tiên tiến.

Hãng cũng cho rằng khi khách hàng đưa sản phẩm vào sử dụng, lợi thế về hiệu năng đã chuyển hóa thành mức giá bán cao hơn. Samsung Electronics nhấn mạnh phần công suất đã chuẩn bị cho HBM4 hiện đều đã được bán hết.

Với thế hệ kế tiếp, công ty cho biết sẽ xuất xưởng mẫu HBM4E đầu tiên trong quý II. Sản phẩm này hỗ trợ tốc độ 16Gbps mỗi chân và băng thông 4,0TB/s.

Samsung Electronics cho biết đang tiếp tục chuẩn bị thương mại hóa sản phẩm tiếp theo dựa trên năng lực công nghệ lớp 1 nm đã tích lũy trong quá trình sản xuất hàng loạt HBM4. Trên thị trường, các thông số hiệu năng của HBM4E được xem là yếu tố có thể ảnh hưởng lớn đến cuộc cạnh tranh tiếp theo với SK hynix và Micron.

### Tình trạng thiếu cung HBM được đánh giá mang tính cấu trúc đến 2027

Một trong những nội dung trọng tâm của cuộc họp là nhận định rằng tình trạng thiếu hụt nguồn cung HBM không còn là hiện tượng ngắn hạn. Samsung Electronics cho rằng khả năng mở rộng nguồn cung của toàn ngành trong thời gian tới sẽ bị hạn chế nếu xét đến thời gian cần thiết để xây dựng và đưa fab mới vào hoạt động.

Theo công ty, khi agentic AI được triển khai rộng hơn, lượng token cần xử lý tăng mạnh sẽ kéo nhu cầu bộ nhớ đi lên theo hướng mang tính cấu trúc, trong khi phía cung cần thêm thời gian để đáp ứng. Hãng cũng đánh giá hệ sinh thái AI đang tăng trưởng nhanh hơn nữa nhờ việc áp dụng các công nghệ mới nhằm cải thiện hiệu suất xử lý dữ liệu.

Diễn biến thuận lợi của thị trường cũng đang tác động đến cách thức đàm phán giá. Khác với DRAM truyền thống thường thương lượng theo quý, HBM chủ yếu được đàm phán giá theo năm do cần tính đến thời gian chuẩn bị công suất ở khâu hậu kỳ.

Gần đây, giá DRAM truyền thống tăng nhanh, làm xuất hiện hiện tượng chênh lệch lợi nhuận với HBM bị đảo ngược. Tuy nhiên, Samsung Electronics cho rằng nếu xét đến môi trường đàm phán của HBM trong bối cảnh chênh lệch cung - cầu tiếp tục nới rộng, khoảng cách này sẽ thu hẹp đáng kể vào năm 2027.

Trong quý II, bit growth của DRAM được dự báo tăng ở mức một chữ số trung bình so với quý trước. Trong bối cảnh nguồn lực khả dụng còn hạn chế, công ty sẽ tiếp tục duy trì chiến lược product mix theo hướng ưu tiên mảng máy chủ.

Với NAND, bit growth trong quý II dự kiến chỉ tăng ở mức một chữ số thấp do ảnh hưởng từ hạn chế về nguồn lực khả dụng, trong khi hàng tồn kho đã giảm trong quý trước. Theo Samsung Electronics, đây là giai đoạn áp lực nguồn cung đồng thời tác động lên cả DRAM và NAND.

Synergy với mảng foundry cũng đang được củng cố. Samsung Electronics cho biết base die của HBM4, được sản xuất trên tiến trình 4 nm, đã được thị trường ghi nhận về hiệu năng, qua đó kéo theo nhu cầu đối với công nghệ 4 nm.

Công ty cũng cho biết đang ghi nhận xu hướng ngày càng rõ khi khách hàng muốn đồng thời đảm bảo nguồn cung bộ nhớ và foundry. Để đáp ứng xu hướng này, Samsung Electronics nói đang tích cực xem xét phương án mở rộng nguồn cung 4 nm. Theo đó, giải pháp tích hợp giữa HBM và foundry đang nổi lên như một trục cạnh tranh mới.

Vì vậy, thời điểm đưa công suất mới vào vận hành sau năm 2027 được xem là yếu tố quan trọng. Để đáp ứng nhu cầu cho năm 2027 đã được đặt trước, Samsung Electronics cần mở rộng thêm năng lực ở các dây chuyền hậu kỳ.

Công ty cho biết ngành bộ nhớ cần thêm thời gian để bảo đảm năng lực đóng gói hậu kỳ dành cho HBM, ngay cả trong trường hợp công suất DRAM được mở rộng. Tuy nhiên, Samsung Electronics không công bố chi tiết về quy mô cũng như thời điểm tăng công suất.

Việc nhìn thấy trước nhu cầu đến năm 2027 được kỳ vọng sẽ giúp giảm biến động lợi nhuận của mảng bộ nhớ. Khác với giai đoạn trước khi thị trường DRAM chịu ảnh hưởng mạnh từ chu kỳ giá khoảng 6 tháng, HBM có thể giúp ổn định cấu trúc lợi nhuận nhờ cơ chế hợp đồng ký trước theo năm.