Mẫu HBM tùy biến do SK hynix giới thiệu tại GTC 2026. Ảnh: SK hynix

SK hynix ngày 23/4 công bố kết quả kinh doanh quý I với doanh thu 52.576,3 tỷ won và lãi hoạt động 37.610,3 tỷ won, tăng lần lượt 198% và 405% so với cùng kỳ năm trước. Biên lợi nhuận hoạt động đạt 72%.

Đây là lần đầu tiên doanh thu theo quý của hãng vượt mốc 50.000 tỷ won. Lãi hoạt động và biên lợi nhuận hoạt động cũng lần lượt lên 37.610,3 tỷ won và 72%, mức cao nhất kể từ khi công ty thành lập. So với quý trước, lãi hoạt động gần như tăng gấp đôi.

Theo SK hynix, dù quý I thường là giai đoạn thấp điểm theo mùa vụ, nhu cầu thị trường vẫn duy trì ở mức cao nhờ làn sóng mở rộng đầu tư vào hạ tầng trí tuệ nhân tạo. Kết quả này chủ yếu đến từ việc tăng doanh số các sản phẩm có giá trị gia tăng cao như HBM, DRAM dung lượng lớn cho máy chủ và eSSD.

Tính đến cuối quý I, lượng tiền và các tài sản tương đương tiền của công ty đạt 54.300 tỷ won, tăng 19.400 tỷ won so với cuối quý trước. Nợ vay giảm 2.900 tỷ won, xuống còn 19.300 tỷ won, qua đó đưa lượng tiền ròng lên 35.000 tỷ won.

Công ty cho rằng khi AI bước sang giai đoạn tác nhân, nhu cầu bộ nhớ sẽ mở rộng trên toàn bộ các dòng DRAM và NAND. Xu hướng này diễn ra trong bối cảnh trọng tâm ứng dụng AI đang chuyển từ huấn luyện mô hình quy mô lớn sang suy luận thời gian thực trong nhiều môi trường dịch vụ.

SK hynix cũng nhận định các công nghệ tối ưu hiệu suất bộ nhớ sẽ góp phần cải thiện hiệu quả kinh tế của dịch vụ AI, qua đó mở rộng quy mô triển khai và tiếp tục thúc đẩy nhu cầu bộ nhớ. Công ty dự báo môi trường giá thuận lợi sẽ tiếp diễn ở cả thị trường DRAM lẫn NAND.

Ở mảng DRAM, SK hynix cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt LPDDR6 trong tháng này, sử dụng quy trình 10nm thế hệ thứ sáu 1c đầu tiên trên thế giới. Công ty cũng triển khai sản phẩm SOCAMM2 192GB dựa trên cùng quy trình. Với HBM, hãng tập trung nâng cao năng lực thực thi tổng thể, từ hiệu năng, tỷ lệ thành phẩm, chất lượng đến độ ổn định nguồn cung.

Ở mảng NAND, công ty đã bắt đầu cung cấp cSSD PQC21, ứng dụng công nghệ QLC 321 lớp dựa trên CTF. SK hynix cho biết sẽ đáp ứng nhu cầu AI bằng danh mục eSSD bao phủ cả dòng TLC hiệu năng cao và QLC dung lượng lớn, đồng thời tăng sức cạnh tranh trên thị trường lưu trữ cho trung tâm dữ liệu AI và AI PC thông qua hợp lực với Solidigm.

Theo công ty, quy mô đầu tư trong năm nay được dự báo tăng mạnh so với năm trước, do đẩy nhanh mở rộng công suất tại M15X, chuẩn bị hạ tầng cho cụm Yongin và bổ sung thiết bị EUV. SK hynix nhấn mạnh rằng trong bối cảnh nhu cầu của khách hàng vượt năng lực cung ứng, bảo đảm năng lực cung ứng đã trở thành yếu tố cạnh tranh cốt lõi.

Đại diện SK hynix cho biết công ty sẽ mở rộng nền tảng sản xuất một cách có chọn lọc để chủ động đáp ứng tăng trưởng nhu cầu trong trung và dài hạn. Doanh nghiệp cũng đặt mục tiêu đồng thời bảo đảm nguồn cung ổn định và duy trì nền tảng tài chính vững chắc thông qua kế hoạch đầu tư dựa trên mức độ chắc chắn của nhu cầu thị trường.

Từ khóa

#SK hynix #AI #HBM #DRAM #NAND #LPDDR6 #eSSD #Solidigm
Copyright © DigitalToday. All rights reserved. Unauthorized reproduction and redistribution are prohibited.