Từ trên xuống: Jun Young-hyun, Phó chủ tịch Samsung Electronics, và Kwak Noh-jung, CEO SK hynix. Ảnh: Arm

Samsung Electronics và SK hynix được dự báo tiếp tục ghi nhận kết quả kinh doanh quý I cao hơn kỳ vọng của thị trường. Trong bối cảnh giá bộ nhớ tăng mạnh, hai doanh nghiệp cũng đang đẩy nhanh các chiến lược riêng nhằm tái cơ cấu động lực tăng trưởng.

Theo ước tính của Mirae Asset Securities, lợi nhuận hoạt động quý I của Samsung Electronics đạt 4 130 tỷ won, tăng 105,9% so với quý trước. Kiwoom Securities dự báo mức 4 300 tỷ won, tăng 115%, trong khi iM Securities đưa ra con số 4 530 tỷ won, tăng 126%. Các dự báo này cao hơn tối đa khoảng 15% so với mức đồng thuận của thị trường.

Với SK hynix, Hana Securities ước tính lợi nhuận hoạt động quý I đạt 3 690 tỷ won, tăng 92% so với quý trước, còn iM Securities dự báo 3 940 tỷ won, tăng 105%. Động lực chính đến từ giá bán bình quân của DRAM tăng 62-71% so với quý trước, còn NAND tăng 53-80%.

Với Samsung Electronics, tín hiệu tái cơ cấu trong quý I không chỉ giới hạn ở mảng bộ nhớ. Tại Nvidia GTC 2026, công ty xác nhận Groq sẽ đưa LPU vào sản xuất hàng loạt trên dây chuyền foundry 4 nm của Samsung Electronics. Sản phẩm dự kiến xuất xưởng trong quý III, qua đó trở thành khách hàng Big Tech thứ hai của hãng sau đơn hàng bộ tăng tốc AI từ Tesla năm ngoái.

Mirae Asset Securities cho biết mảng foundry của Samsung Electronics hiện vẫn lỗ khoảng 1 nghìn tỷ won. Tuy nhiên, khả năng chuyển sang có lãi trong nửa cuối năm đang tăng lên nhờ mở rộng đơn hàng từ khách hàng hiện hữu và bổ sung sản phẩm mới.

Năng lực cạnh tranh ở HBM4 của Samsung Electronics cũng dần được làm rõ. Tại ISSCC 2026, công ty cho biết đã đạt tốc độ tối đa 13 Gb/s trên mỗi chân của HBM4. Kết quả này đến từ việc áp dụng logic die dựa trên FinFET 4 nm, được xem là dấu hiệu cho thấy sự kết hợp giữa mảng bộ nhớ và foundry đang bắt đầu phát huy hiệu quả.

Bên cạnh đó, Samsung Electronics cũng trình bày cấu trúc 4F2 với W2W bonding dựa trên HCB (hybrid copper bonding), qua đó củng cố vị thế nhà sản xuất full-stack, bao phủ cả mảng đóng gói tiên tiến. Theo Kiwoom Securities, lợi thế công nghệ ở HBM4 có thể mở thêm cơ hội để Samsung Electronics mở rộng thị phần trên thị trường HBM.

Trong khi đó, SK hynix chọn hướng đi tập trung vào việc củng cố nền tảng để cải thiện định giá. Tháng trước, công ty đã nộp hồ sơ đăng ký niêm yết ADR lên Ủy ban Chứng khoán và Giao dịch Mỹ (SEC) theo hình thức không công khai. Hana Securities đánh giá đây là chiến lược nhằm giúp SK hynix được thị trường chứng khoán Mỹ, nơi tập trung nhiều doanh nghiệp Big Tech, định giá lại.

SK hynix đồng thời cũng đang thảo luận với khách hàng về các hợp đồng cung ứng dài hạn. Theo nhận định của giới phân tích, những điều khoản ràng buộc như khoản trả trước và phí phạt vi phạm có thể được đưa vào, khác với trước đây. Hana Securities kỳ vọng các hợp đồng dài hạn có tính ràng buộc cao hơn sẽ giúp giảm biến động của ngành bộ nhớ, qua đó tạo cơ sở để nâng hệ số định giá.

Trong chu kỳ tăng mạnh của thị trường bộ nhớ, Samsung Electronics đang chuẩn bị động lực tăng trưởng tiếp theo bằng mô hình full-stack kết nối foundry với HBM4. Trong khi đó, SK hynix đẩy mạnh kế hoạch niêm yết ADR và siết chặt điều khoản trong các hợp đồng dài hạn. Sau quý II, đàm phán giá bộ nhớ và khả năng mở rộng đơn hàng foundry được dự báo sẽ trở thành những biến số quan trọng, quyết định tốc độ chuyển đổi chiến lược của hai doanh nghiệp.

Từ khóa

#Samsung Electronics #SK hynix #DRAM #NAND #HBM4 #foundry #ADR #SEC #AI
Copyright © DigitalToday. All rights reserved. Unauthorized reproduction and redistribution are prohibited.