Tại GTC 2026 diễn ra ở San Jose, CEO Nvidia Jensen Huang đã đến thăm gian hàng của Samsung Electronics và trực tiếp ký lên các wafer trưng bày. Động thái này thu hút chú ý khi Samsung giới thiệu loạt sản phẩm bán dẫn phục vụ nền tảng AI thế hệ tiếp theo của Nvidia, từ HBM, mô-đun bộ nhớ máy chủ đến thiết bị lưu trữ.

Ngày 17/3, Samsung Electronics cho biết Jensen Huang đã ký lên wafer core die HBM4 của hãng với dòng chữ “AMAZING HBM4”, đồng thời ký lên wafer tiến trình 4 nm dành cho Groq LPU với dòng “Groq Super FAST”. Ông cũng chụp ảnh cùng Hwang Sang-jun, Phó chủ tịch phụ trách phát triển bộ nhớ, và Han Jin-man, Chủ tịch bộ phận foundry của Samsung Electronics.

Theo nội dung trưng bày, Groq là công ty thiết kế LPU mà Jensen Huang nhắc tới. Doanh nghiệp này phát triển bộ xử lý tối ưu cho việc xử lý token với độ trễ cực thấp. Tại kỳ GTC năm nay, Nvidia công bố rack LPX kết hợp Groq LPU với rack GPU và cho biết sản phẩm sẽ ra mắt trong nửa cuối năm nay. Chữ ký của Jensen Huang vì vậy được xem là tín hiệu công khai cho thấy sự hợp tác giữa Nvidia và Samsung ở cả mảng HBM4 lẫn foundry cho Groq LPU.

Samsung Electronics cũng lần đầu giới thiệu HBM4E tại GTC, được xem là một trong những điểm nhấn khiến Jensen Huang trực tiếp ghé thăm gian hàng. Công ty trưng bày chip mẫu HBM4E cùng wafer core die. Sản phẩm được phát triển trên quy trình DRAM 1c và tiến trình 4 nm của bộ phận foundry nội bộ. Mục tiêu hiệu năng được Samsung đưa ra là tốc độ 16 Gbps mỗi pin và băng thông 4,0 TB/s.

Cùng với HBM4E, Samsung Electronics công bố công nghệ đóng gói thế hệ mới hybrid copper bonding, viết tắt là HCB. Theo công ty, HCB giúp giảm điện trở nhiệt hơn 20% so với thermo-compression bonding (TCB) và hỗ trợ xếp chồng từ 16 lớp trở lên. Nếu TCB gắn chip bằng nhiệt và áp lực, HCB kết nối trực tiếp các chip bằng liên kết đồng, qua đó giảm nhiệt và nâng giới hạn xếp chồng. Samsung cho biết sẽ huy động toàn bộ năng lực theo mô hình IDM, từ thiết kế bộ nhớ và logic, foundry đến đóng gói, để phát triển HBM4E.

Samsung phô diễn năng lực cung ứng trọn bộ nhớ cho Vera Rubin: trưng bày cả GDDR7 và LPDDR6

Tại GTC năm nay, Samsung Electronics đồng thời giới thiệu dải giải pháp bộ nhớ dành cho nền tảng AI thế hệ tiếp theo Vera Rubin của Nvidia. Công ty nhấn mạnh đây là doanh nghiệp duy nhất trên thế giới có khả năng cung cấp toàn bộ bộ nhớ và lưu trữ cho nền tảng Vera Rubin.

Tại khu vực “Nvidia Gallery”, nơi trưng bày các nội dung hợp tác với Nvidia, Samsung giới thiệu HBM4 cho GPU Rubin, SOCAMM2 cho CPU Vera và thiết bị lưu trữ PM1763 bên cạnh hệ thống Vera Rubin. SOCAMM2 là mô-đun bộ nhớ máy chủ dựa trên LPDDR và, theo Samsung, đã bắt đầu được xuất xưởng hàng loạt đầu tiên trong ngành.

SSD máy chủ PM1763 dựa trên PCIe Gen6 được giới thiệu là thiết bị lưu trữ chủ lực của Vera Rubin. Tại gian hàng, Samsung Electronics cũng trình diễn trực tiếp bài thử SCADA của Nvidia nhằm công bố hiệu năng vận hành thực tế. Với nền tảng CMX mới hướng tới cải thiện hiệu năng suy luận AI và hiệu quả năng lượng, Samsung cho biết sẽ cung cấp PM1753 dựa trên PCIe Gen5.

Ngoài các giải pháp cho Vera Rubin, Samsung Electronics còn giới thiệu thêm loạt sản phẩm bộ nhớ thế hệ mới như bộ nhớ đồ họa GDDR7, DRAM di động LPDDR6 và SSD máy chủ PM9E1. Công ty nhấn mạnh danh mục bộ nhớ của mình bao phủ toàn bộ hạ tầng AI, từ trung tâm dữ liệu AI đến AI trên thiết bị và physical AI.