Samsung Electronics ngày 17/3 cho biết đã lần đầu giới thiệu chip HBM4E thế hệ mới tại Nvidia GTC 2026, diễn ra từ ngày 16 đến 19/3 tại San Jose, Mỹ. Tại sự kiện, hãng cũng trưng bày wafer core die và công bố công nghệ đóng gói HCB nhằm cải thiện khả năng tản nhiệt cho bộ nhớ băng thông cao.

Theo Samsung Electronics, HBM4E được phát triển trên tiến trình DRAM 1c, kết hợp với base die 4 nm từ mảng foundry của công ty. Sản phẩm hỗ trợ tốc độ 16 Gbps trên mỗi chân kết nối và đạt băng thông 4 TB/s.

Samsung cho biết HBM4E được xây dựng trên năng lực nội bộ trải dài từ thiết kế bộ nhớ, logic, gia công chip đến đóng gói. Hãng nhấn mạnh đây là hướng phát triển mà chỉ các nhà sản xuất bán dẫn tích hợp theo mô hình IDM mới có thể triển khai, dựa trên kinh nghiệm sản xuất hàng loạt HBM4 cùng năng lực thiết kế base die 4 nm.

Cùng với sản phẩm mới, Samsung Electronics cũng giới thiệu công nghệ đóng gói HCB (Hybrid Copper Bonding). So với TCB (Thermal Compression Bonding), HCB giúp giảm điện trở nhiệt hơn 20% và hỗ trợ xếp chồng từ 16 lớp trở lên. Đây là phương pháp kết nối trực tiếp giữa các chip bằng liên kết đồng, phù hợp với các cấu trúc HBM nhiều lớp.

Hãng cũng cho biết hiện là nhà cung cấp duy nhất có thể cung ứng đầy đủ danh mục bộ nhớ và lưu trữ cho nền tảng Vera Rubin thế hệ tiếp theo của Nvidia. Tại khu vực trưng bày, Samsung giới thiệu HBM4 dành cho GPU Rubin, SOCAMM2 dành cho Vera CPU, cùng thiết bị lưu trữ PM1763.

Trong đó, SOCAMM2 là mô-đun bộ nhớ máy chủ dựa trên LPDDR và theo Samsung, hãng đã bắt đầu xuất xưởng lô sản phẩm sản xuất hàng loạt đầu tiên trong ngành. PM1763, phát triển trên nền PCIe Gen6, được giới thiệu là thiết bị lưu trữ chủ lực cho Vera Rubin. Tại gian hàng, Samsung cũng trình diễn trực tiếp tác vụ Nvidia SCADA.

Vào ngày thứ hai của sự kiện, tức 17/3 theo giờ địa phương, Song Yong-ho, Giám đốc Trung tâm AI của Samsung Electronics, sẽ tham gia một phiên thuyết trình theo lời mời của Nvidia. Ông dự kiến chia sẻ tầm nhìn về các giải pháp bộ nhớ phục vụ hạ tầng AI.

Đại diện Samsung Electronics cho biết các hệ thống AI hiệu năng cao như Vera Rubin là yếu tố quan trọng đối với mô hình AI factory. Người này nói thêm Samsung sẽ tiếp tục cung cấp các giải pháp bộ nhớ hiệu năng cao và cùng Nvidia thúc đẩy quá trình chuyển đổi hạ tầng AI toàn cầu.