中国最大DRAM制造商CXMT的扩产已接近阶段性上限，全球内存市场供应偏紧、价格承压上行的局面或将持续。与市场此前担心“中国厂商快速扩产将冲击Samsung Electronics、SK hynix等头部企业”不同，良率偏低以及美国对先进半导体设备的出口限制，正成为CXMT进一步扩产的主要约束。

据媒体Cryptopolitan于25日（当地时间）报道，CXMT月产晶圆规模在去年底升至约24万片后，扩产节奏明显放缓。业内普遍预计，其全年产量将大体维持在这一水平。虽然与2024年相比，其产能已接近翻倍，但在扩产受限的情况下，仍难以填补全球DRAM市场的供应缺口。

从影响因素看，美国对先进半导体设备的出口管制以及偏低的良率，是制约CXMT扩产的两大核心变量。Counterpoint Research数据显示，CXMT第一代10纳米级DRAM的良率较Samsung Electronics和SK hynix低42%，整体良率仅在50%左右。这意味着，即便名义产能继续提升，实际可出货的内存增量也难以同步放大。

从产能规模看，CXMT与头部厂商之间仍有明显差距。相关测算显示，即使CXMT将产能利用至上限，其整体规模也仅相当于SK hynix的一半、Samsung Electronics的约30%。这也是市场普遍认为，CXMT在中国本土市场影响力虽持续提升，但短期内仍不足以改写全球内存供需格局的重要原因。

供应端的约束已开始反映到价格上。TrendForce预计，2026年第三季度通用型DRAM合约价将环比上涨13%至18%。在AI服务器需求持续强劲的同时，主要内存厂商仍在调节产量，进一步加剧了市场对后续涨价的预期。

JPMorgan Global Research指出，从2024年初到2026年底，DRAM价格累计涨幅存在超过400%的可能。背后的原因在于，超大规模云厂商通过长期供货协议提前锁定产能，挤压了面向普通客户的内存供应。

这意味着，内存涨价带来的影响或不只局限于数据中心，手机、PC等消费电子终端也可能面临零部件成本上升压力。

Omdia预计，2026年全球半导体总营收中，内存芯片占比将超过一半。原因在于，厂商可能将更多产能投向利润率更高的AI相关产品，从而压缩普通电子产品所需的内存供应。

不过，CXMT的增长势头并未完全逆转。公司已摆脱早期依赖政府支持的亏损阶段，今年第一季度实现75亿美元营收，并完成规模约86亿美元的在上海证券交易所上市。

此外，CXMT还与ByteDance签署了一份总金额超过70亿美元、期限为5年的长期内存供货协议。报道称，在部分交易中，CXMT向中国买家给出的报价甚至高于Samsung Electronics和SK hynix。Counterpoint Research估算，CXMT在全球DRAM比特出货量中的占比约为9%。

但现实问题在于，CXMT目前仍缺乏充分满足中国本土市场需求的能力。尽管中国政府要求其优先向本土客户供货，但现有产量也仅能勉强覆盖国内需求。

Goldman Sachs预计，CXMT到2026年可满足中国DRAM需求的约41%，到2028年这一比例仍将在50%左右。尽管中国希望降低对Samsung Electronics、SK hynix等海外内存厂商的依赖，但短期内仍难以实现实质性替代。

与此同时，全球竞争对手也在推进扩产，但新增产线短期内难以形成有效供给。SK hynix已于2026年8月初决定投资54万亿韩元建设两座新晶圆厂，但其Y2 DRAM工厂预计要到2029年年中才会进入洁净室阶段。Samsung Electronics内存业务虽在近期创下历史最高季度营收，但公司判断供应约束将持续至2026年下半年。

CXMT计划于2027年启用位于上海和北京的新生产设施，将月产晶圆规模提升至42万片。不过，在新产线产能完全释放之前，有限的供应叠加强劲的AI需求，仍可能继续推高DRAM价格。

整体来看，尽管中国内存厂商正在加快追赶，但短期内CXMT扩产受限更可能延长全球DRAM市场的供应偏紧周期，并继续对价格形成上行支撑。