SK hynix利川M16园区外景,主力生产DRAM产品。图片来源:SK hynix

SK hynix公布的2026年第二季度业绩显示,公司当季营收为79.3187万亿韩元,营业利润为60.5426万亿韩元,营业利润率达到76%,营收、营业利润和营业利润率均创下历史新高。与上季度相比,营收增长51%,营业利润增长61%;与去年同期相比,营收增长256.8%,营业利润增长557.2%。营业利润率较上季度提升5个百分点。

在7月29日举行的第二季度业绩电话会上,SK hynix表示,AI基础设施投资持续扩张,带动市场需求走强,而供给端依然偏紧,推动DRAM和NAND闪存价格在第二季度明显上升。

今年上半年,公司累计营收为131.8950万亿韩元,以半年度计首次突破100万亿韩元;累计营业利润为98.1529万亿韩元,较去年同期的16.6534万亿韩元增长489.4%。

利润率提升还与折旧摊销负担相对较轻有关。SK hynix表示,第二季度折旧及无形资产摊销合计为4万亿韩元,约占当季营收的5%。据此计算,公司当季EBITDA为64.6000万亿韩元,EBITDA利润率达到81%。公司解释称,前期资本开支对应资产大多已进入折旧后期,叠加营收大幅增长,固定成本压力被进一步摊薄。

从业务结构看,本季度业绩增长主要由价格上行带动。SK hynix Corporate Center负责人Song Hyun-jong表示,第二季度DRAM出货量实现高个位数增长,平均销售价格(ASP)上涨约30%;NAND闪存出货量增长约中段10%,ASP上涨约50%中段。在供给受限的市场环境下,ASP上升成为利润改善的主要动力。

产品组合优化同样对利润率形成支撑。公司表示,第二季度企业级SSD(eSSD)营收环比增长超过2倍,旗下Solidigm 30TB以上高容量eSSD营收增长逾3倍。DRAM方面,HBM3E及AI服务器相关产品带动销量增长,包含SOCAMM2在内的服务器用LPDDR产品销售也有所增加。NAND闪存方面,321层产品已成为产量占比最高的品类,公司计划到今年年底将该产品在韩国厂区产能中的占比提升至约50%。

净利润方面,公司第二季度实现净利润93.9000万亿韩元,净利率达到118%,高于营业利润率,主要原因在于营业外收益大幅增加。公司表示,包括汇兑相关收益以及投资资产处置和评估收益在内,第二季度净营业外收益为62.2000万亿韩元,税前净利润为122.7000万亿韩元。公司同时强调,主营业务盈利能力与营业外收益应分开看待。

现金状况也同步改善。截至第二季度末,公司持有现金及现金等价物88万亿韩元,较上季度末增加33.6000万亿韩元;借款余额降至18.6000万亿韩元,较上季度减少7000亿韩元;净现金规模达到69.4000万亿韩元。

公司还披露了为提升业绩稳定性而采用的合同安排。SK hynix表示,已与包括核心客户在内的十余家客户完成长期供货协议(LTA)谈判。该类协议通常以5年为期,并包含客户采购承诺以及预付款等财务安排,以保障合同履行。对于LTA在整体销售中的占比,公司未作披露,仅表示将维持在适当水平。

对于当前高利润率能否持续,SK hynix认为这并非单纯的一次性因素。Song Hyun-jong表示,AI正加速向Agent形态演进,能够替用户长时间执行复杂任务,由此带动内存需求覆盖范围进一步扩大。除HBM等高性能内存外,用于支撑Agent服务的服务器DRAM,以及处理AI生成数据所需的高性能eSSD,需求也在同步增长。公司将这一趋势定义为AI内存与通用内存共同扩张的结构性变化。

针对“高效AI模型普及可能削弱基础设施需求”的看法,SK hynix表示并不认同。公司称,效率提升将降低AI服务的价格负担和导入门槛,从而扩大用户基础与应用场景,反而有利于需求增长。公司还透露,主要客户仍在持续提出追加采购需求。与此同时,受内存供应趋紧影响,PC和移动端应用市场出现阶段性出货调整。

对于全年市场需求,公司预计DRAM将增长20%中段,NAND闪存将增长10%后段。SK hynix认为,受先进工艺难度上升和新产能建设周期拉长等因素影响,短期内供需关系难以明显改善。

展望第三季度,公司预计DRAM出货量环比增长约10%,NAND闪存出货量环比增长低个位数。Song Hyun-jong表示,随着HBM4供货规模扩大,以及1c纳米通用DRAM出货增加,下半年增幅将高于上半年。不过,公司预计全年投资规模将处于40万亿韩元后段,当前支撑利润率的折旧结构在新增投资逐步进入折旧周期后,后续也可能发生变化。

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