SK hynix表示，已与包括核心客户在内的十余家客户完成长期供货协议（LTA）谈判并达成协议。该类合同通常为期5年，除客户采购承诺外，还包含预付款等保障履约的财务安排。

SK hynix企业中心负责人、社长 Song Hyun-jong 29日在公司2026年第二季度业绩电话会上表示，此次LTA不仅是单纯的供货合同，更是围绕中长期供货稳定性以及下一代存储联合开发所建立的战略合作框架。公司称，目前仍在与行业主要客户继续推进相关讨论。

公司预计，内存市场供需偏紧的格局还将持续相当长一段时间。SK hynix指出，HBM及AI服务器用内存所需的先进工艺难度持续上升，而新增产能投放又需要一定周期，短期内供需环境难有明显缓解。在这一背景下，客户锁定中长期稳定供货的意愿明显增强。

在定价方面，SK hynix表示，LTA会根据客户情况和产品特性采用不同定价机制，以应对价格波动。公司未披露LTA在整体销售中的占比，但表示将结合市场环境和客户需求进行灵活安排，既增强业绩下行周期中的稳定性，也保留在市场向好时承接额外需求的空间。

SK hynix称，公司已围绕HBM建立起稳定的盈利基础，与包括NVIDIA在内主要AI客户的长期合作是重要支撑。为提升供给响应能力，公司正推动M15X量产计划提前，并计划在2027年初龙仁一期晶圆厂洁净室启用后迅速扩大产能，相关投资也在同步推进。公司预计，今年资本支出将维持在40万亿韩元区间的较高水平。

在产品进展方面，HBM4已于第二季度启动量产出货。SK hynix表示，目前HBM4量产良率已接近上一代成熟产品水平，这在新产品早期爬坡阶段并不多见，也为下半年进一步扩产提供了依据。公司称，HBM4在满足客户所需运行速度的同时，也具备能效和成本竞争力。

HBM4E方面，SK hynix表示，已于上半年向主要客户完成样品交付。公司称，相关产品采用了在技术成熟度和量产稳定性方面更有保障的工艺方案，研发正以2027年正式量产为目标推进。

在下一代技术方面，SK hynix正同步推进混合键合（hybrid bonding）和iHBM开发。公司表示，通过在封装内部引入散热结构，可将热阻较现有方案降低30%以上，目标瞄准HBM5等下一代产品的散热控制需求。

针对“竞争对手HBM竞争力快速提升”的说法，SK hynix回应称，竞争力并不只是实现产品性能即可。市场普遍认为，其所指竞争对手为Samsung Electronics。近期，Samsung Electronics相较此前HBM3E竞争阶段，已加快完成样品出货并进入量产准备阶段。

SK hynix进一步表示，HBM竞争力还体现在能否以稳定良率和品质实现大规模供货。公司称，其在上市时点、产品性能、量产良率、品质以及客户信任等方面形成的长期积累，并非短期内能够复制的差异化优势。公司同时指出，HBM属于高附加值产品，一旦出现不良，不仅客户成本负担更高，对整体系统的影响也更大。

对于2027年业务规划，SK hynix表示，正与主要客户就HBM供货量和价格进行磋商。公司指出，通用DRAM价格上涨可能会对HBM价格谈判产生一定影响，但HBM价格并不完全由通用DRAM走势决定。原因在于，相较通用DRAM，HBM需要投入更多晶圆和先进工艺资源，对TSV及封装产能的要求也更高，且随着产品代际升级，研发和认证流程复杂度也在持续上升。公司未披露与单一客户的合同条款及具体价格。

在NAND Flash业务方面，SK hynix表示，产品线扩展也在持续推进。随着AI市场由训练为主逐步转向推理为主，NAND正成为构建AI系统存储层级的重要组成部分。公司计划在AI数据湖以及替代硬盘驱动器（HDD）的应用场景中，以大容量QLC eSSD应对；在KV缓存卸载等新场景中，则通过新增层级的AI存储产品进行布局。

对于第三季度出货计划，SK hynix预计DRAM出货量将环比增长约10%，NAND Flash则为低个位数增长。公司表示，受HBM4出货扩大以及基于1c纳米工艺的通用DRAM出货增加带动，下半年bit growth有望高于上半年。与此同时，随着HBM4销售扩大和高附加值产品占比提升，综合平均售价（ASP）也将获得支撑。

第二季度，SK hynix DRAM ASP上涨约30%，NAND Flash ASP升至50%中段。公司指出，LTA所锁定的供货量，以及HBM4后续爬坡节奏与本轮价格周期之间的匹配情况，仍将是下半年业绩表现的重要变量。