据香港《南华早报》27日援引Nomura报告称，中国DRAM厂商ChangXin Memory Technologies（CXMT）有望在未来几年继续提升全球市场份额，到2028年末或升至18%。

除上市后的股价表现外，市场更关注的是CXMT在产能扩张和高端产品布局上的进展。作为中国内地最大的DRAM制造商，CXMT上市以来股价累计上涨466%，27日收报49元，市值达到3.28万亿元，折合约4846亿美元，超过Intel约4640亿美元的市值规模。

Nomura将CXMT目标价定为116元，并认为按27日收盘价计算，股价仍有超过一倍的上行空间。

在业务层面，产能扩张被视为推动份额提升的核心变量。Nomura预计，CXMT全球DRAM市场份额将从当前约10%提升至2028年末的约18%。这一预测主要基于公司未来几年的扩产计划：合肥、北京两地工厂的12英寸晶圆月产能预计将从2025年末的28万片增至2026年末的35万片，并在2028年末进一步提升至55万片；与此同时，上海新产线也可能纳入产能布局。

行业供需格局也为其扩张提供了支撑。随着AI算力需求持续增长，DRAM库存处于罕见低位。Citigroup估算，目前DRAM供应商库存仅约2.7周，明显低于通常5周以上的水平，显示市场供应依然偏紧。

从需求端看，中国市场被视为CXMT更大的增长机会。相关数据显示，中国2025年占全球DRAM需求约四分之一，但本土产能仅能满足国内约30%的需求，终端和电子制造企业对进口内存仍有较高依赖。Bank of America披露，6月中国内存芯片进口额为320亿美元，同比增长250%。此外，中国内地终端设备厂商和云计算企业在高端及通用型产品上，仍持续依赖韩国供应商。

不过，CXMT要进一步追赶国际龙头，关键仍在HBM。作为与AI处理器配套的高附加值DRAM产品，HBM已成为内存厂商竞争的重点方向，但CXMT目前尚未从HBM业务获得收入，现阶段收入仍主要来自智能手机和PC使用的通用型DRAM。能否实现HBM产品量产并形成商业出货，被认为是其缩小与Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology差距的重要关口。

Nomura还指出，CXMT主力制程与海外领先DRAM厂商相比大约落后5年。该机构预计，CXMT最快可能自2027年起具备HBM3量产能力，但通过客户认证仍需时间。这也意味着，单靠通用型DRAM扩产，尚不足以根本改变其市场地位，能否在高性能产品上拿到实际订单才是更关键的指标。

与此同时，设备和材料供应仍是不可忽视的制约因素。Nomura估算，CXMT半导体制造设备约40%来自中国本土，其余相当一部分仍受外部出口管制影响。尤其是在先进光刻设备和光刻胶领域，若美国主导的出口管制进一步收紧，相关产线升级进度可能受限。

整体来看，CXMT下一阶段的发展路径已较为清晰：一方面通过通用型DRAM扩产提升市场份额，另一方面推进HBM量产并完成客户认证，以优化产品结构。与此同时，能否稳定获取先进设备与关键材料，也将成为其进一步巩固全球内存市场地位的重要变量。