Samsung Electronics正与Broadcom在AI半导体基础设施市场展开大规模合作。Samsung Electronics于25日表示，公司已于当地时间24日在美国旧金山举行的“AI Summit”上，与Broadcom签署面向下一代AI基础设施的战略合作协议。双方计划到2030年，在存储、晶圆代工等领域推进总规模超过2000亿美元的合作。

此次合作覆盖存储、晶圆代工以及先进封装等多个环节。Samsung Electronics表示，双方将以“一站式解决方案”为基础推进合作，即由同一家公司同时提供存储、代工和封装服务。活动当天，Samsung Electronics Foundry事业部负责人Han Jin-man、Broadcom CEO Hock Tan等双方高管及政府相关人士出席。

随着全球大型科技公司加快采用符合自身服务需求的定制化AI加速器，长期在定制芯片设计市场占据主导地位的Broadcom，正进一步强化与Samsung Electronics的协同。Samsung Electronics将整合存储、制造和封装能力，为Broadcom设计的加速器提供支持，构建设计到生产的一体化协同模式。

在存储方面，Samsung Electronics将向Broadcom供应包括HBM在内的高性能存储产品。Samsung Electronics表示，采用1c DRAM、并在底层Base Die中引入4nm工艺的HBM4，已于今年2月实现量产出货。公司还称，已于5月向客户交付下一代产品HBM4E样品。

在晶圆代工方面，Samsung Electronics将把2nm及以下工艺用于制造Broadcom的高速数据通信芯片等核心产品。随着制程微缩，同等面积内可集成更多器件，同时降低功耗。Samsung Electronics还将基于2nm工艺提供先进封装技术，以提升Broadcom AI芯片的性能和能效。

Samsung Electronics表示，公司将从设计与工艺协同阶段开始，打通芯片设计、先进封装到量产的全流程，目标是缩短产品开发周期。公司计划以此次协议为契机，持续挖掘AI与高性能计算市场的业务机会。

Samsung Electronics DS部门负责人Jeon Young-hyun表示，在AI时代，深度整合存储、逻辑芯片与先进封装的半导体解决方案至关重要；通过扩大与Broadcom的合作，Samsung Electronics将加快未来AI基础设施的发展，并为客户创造更大价值。

Broadcom半导体解决方案集团总裁Charlie Kawas表示，随着AI基础设施快速扩张，半导体生态体系的紧密协作正变得愈发重要；Broadcom将与Samsung Electronics共同打造满足多元市场需求的下一代解决方案。