韩国股市近期出现明显分化：Samsung Electronics与SK hynix股价大幅波动之际，Samsung Electro-Mechanics和LG Innotek的走势相对更具韧性。市场普遍认为，即便内存价格波动加剧，部件需求也并非完全与之同步，二者的盈利驱动因素存在明显差异。

上周后半周，半导体龙头股进入调整阶段，但部件股整体表现相对抗压。6月5日，Samsung Electronics下跌约6%，SK hynix跌近10%；相比之下，Samsung Electro-Mechanics上涨约2%，LG Innotek仅下跌约1%。不过，6月8日韩国股市整体大跌，部件股也随大盘回落，当天Samsung Electro-Mechanics下跌5.3%，LG Innotek下跌5.6%；同日，Samsung Electronics下跌10.2%，SK hynix下跌7.7%。

这一轮波动的导火索之一，是市场近期关于Nvidia下一代Vera CPU内存配置调整的消息。产业链消息称，Vera CPU搭载的SOCAMM2内存容量可能下调，引发市场对内存需求放缓的担忧。研究机构SemiAnalysis指出，原本按单个模块192GB设计的SOCAMM2，已出现降至96GB的方案；与此同时，Vera CPU的LPDDR5配置也出现从1.5TB调整至768GB的版本。

不过，产业链对这一变化的解读并不悲观。相关人士认为，这并不意味着内存需求本身走弱，而更可能是在供给持续紧张的背景下，Nvidia为了提升整机产出所作出的配置优化。当前LPDDR供应趋紧，而Vera CPU单品及Vera Rubin机架需求依然强劲。在这种情况下，若要扩大整机产量，就需要适度下调单颗CPU的内存配置。

券商也给出了类似判断。Daishin Securities表示，尽管面向Vera Rubin的SOCAMM2装载量有所下调，但Nvidia CPU相关DRAM的整体TAM并未发生变化。换言之，单机装载量减少而整体TAM不变，反而意味着GPU出货量可能高于此前市场预期。因此，这一调整未必是规格下修，更像是供应偏紧背景下带来的短期扰动。

在这样的背景下，市场所谓内存与部件“解耦”的现象，核心在于两类公司的盈利逻辑并不相同。Samsung Electronics与SK hynix的股价，本质上仍与内存价格高度联动，合约固定价格一旦走弱，盈利预期往往会迅速下修。相比之下，Samsung Electro-Mechanics与LG Innotek的核心产品——MLCC、FC-BGA以及摄像头模组——其需求更多取决于装机节奏和出货规模，而非内存单价本身。

这也意味着，单台AI服务器所需的MLCC数量和基板面积，并不会因内存价格走弱而同步收缩。相反，本轮配置调整背后，还反映出服务器端LPDDR渗透率提升，以及其与智能手机、PC市场之间的供需竞争加剧。只要AI基础设施扩张趋势延续，系统级部件的需求在一定程度上就仍可独立于内存价格走势。

从更长期看，内存配置的进一步多样化，也可能对部件需求形成支撑。Eugene Investment & Securities表示，原计划采用HBM4 12层的AMD MI400，未来可能推出8层和12层两个版本；此前被预期采用16层方案的Nvidia Rubin Ultra，量产阶段则可能以12层为主，并存在12层与16层并行供应的可能。该机构认为，一旦供给能力改善，市场仍可能重新转向提升采用容量、最大化性能的方向。

整体来看，这一轮“噪声”再次凸显出AI价值链的主要瓶颈仍在内存端。产业链人士称，内存厂商对北美主要客户的需求满足率目前仅约为50%至60%。与此同时，市场对于供应紧张可能持续至2030年的预期正在升温，长期供货协议（LTA）的签署也在逐步扩散。

与此相呼应，围绕供应优先级的长期合作关系也开始变得更加清晰。6月8日，Nvidia与SK hynix宣布，双方已就下一代内存联合开发，以及加速半导体设计与制造的长期技术合作伙伴关系达成协议。SK hynix表示，将配合Nvidia的AI基础设施路线图，围绕Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC和Jetson Thor机器人平台，共同开发相关内存产品。

Nvidia首席执行官Jensen Huang表示，AI工厂是下一代产业革命的引擎，而先进内存是释放其性能的关键要素，双方将共同开发下一代内存，以支持全球AI基础设施扩张。SK集团会长Chey Tae-won则表示，此次合作伙伴关系显示出双方基于多年积累所建立的协作深度。