Semifive与ICY Tech于7日宣布，双方合作开发的基于Samsung Foundry 8nm eMRAM工艺的边缘AI芯片已完成流片。双方表示，这是亚洲首个将8nm eMRAM用于商用量产产品的案例。对Semifive而言，这也是其首个eMRAM ASIC设计项目，面向量产的实现由Semifive负责，采用Samsung Foundry 8LPU工艺。

MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器）通过MTJ（磁隧道结）器件的电阻变化来存储数据。由于不依赖电荷存储，MRAM在断电后仍可保留数据，也无需周期性刷新。与闪存相比，其写入速度可快逾1000倍，且功耗更低，因此被视为AI芯片及低功耗边缘设备的重要存储技术。嵌入式MRAM（eMRAM）则是将MRAM集成到SoC、MCU等系统芯片内部，被认为有望替代嵌入式闪存（eFlash），成为新一代片上存储方案。

在此次项目中，双方将ICY Tech的PNM（Processing Near Memory）技术与Semifive的SoC设计平台相结合，打造可脱离额外网络连接、在边缘侧独立完成AI计算的芯片架构。据介绍，该架构可在设备端离线运行最高20亿（2B）参数模型，支持文本摘要、翻译和对话推理等任务，达到可实际应用的AI处理能力。这也是传统基于SRAM的边缘AI芯片受限于芯片面积和功耗，较难覆盖的能力范围。

资料显示，ICY Tech由北京大学物理学院应用磁学中心孵化成立，长期从事磁学与自旋电子学研发，并开发面向AI推理的MRAM技术。该公司具备MRAM bitcell及外围电路设计能力，同时拥有高带宽读取和原位（in-situ）矩阵-向量乘（GEMV）实现能力。

Semifive则是Samsung Foundry SAFE生态中的核心设计解决方案合作伙伴（DSP），已开展覆盖AI、HPC及边缘AI等多个方向的ASIC项目。

此次开发的架构主要面向离线运行的边缘设备，应用场景包括AI PC、私有AI代理和类人机器人等，后续还将拓展至机器人（物理AI）、车规芯片（自动驾驶与智能座舱）以及智能设备等领域。

ICY Tech CEO Yves Zhu表示，此次合作是在Samsung Foundry 8nm（8LPU）工艺上落地自旋电子学AI推理架构的一项高难度项目。通过将eMRAM的超低功耗和非易失特性引入AI加速器，项目有望成为边缘AI芯片发展的一个重要里程碑，并在全球AI推理市场展现突破传统架构限制的性能与能效表现。

Semifive CEO Myunghyun Cho表示，随着eMRAM等新一代存储技术推动更多新型ASIC设计加快落地，具备全流程能力的AI ASIC设计合作伙伴的重要性将进一步提升。此次与ICY Tech的合作，也让Semifive将设计能力延伸至MRAM这一新领域。