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据路透社10月28日报道，中国最大DRAM厂商CXMT尽管良率仍处于较低水平，仍在推进用于AI芯片的高带宽存储器（HBM）产品HBM3E量产。

报道称，CXMT已向中国AI芯片设计企业送样，预计将在两个月内启动小批量生产。消息称，其目前良率仅为20%至30%。所谓良率，即合格芯片在总产出中的占比；作为对比，SK hynix的相关良率约为70%。

报道指出，CXMT此时推进HBM3E，反映出中国本土AI内存供应紧张程度正在上升。

在良率偏低的情况下，报废或返工芯片数量通常会增加，进而推高生产成本。因此，CXMT的HBM3E价格预计也将高于竞争对手。路透社上月曾报道称，受内存成本上升影响，Huawei、Cambricon等中国AI芯片企业已将相关产品价格上调20%至50%。

根据Counterpoint Research数据，今年第二季度全球HBM市场营收占比中，SK hynix为50%，Samsung Electronics为33%，Micron为18%。同期，CXMT在全球DRAM市场的营收占比为10%，位居第四。路透社称，受美国出口管制影响，先进半导体设备获取受限，CXMT要缩小与头部厂商之间的差距并不容易。

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