SK hynix表示，公司将根据供给条件和经济性，决定下一代内存技术的导入节奏。在此之前，公司将优先扩大成熟工艺产品的产出，并通过定制化HBM和分层存储技术，为新一轮AI需求增长做准备。

在28日举行的第三季度业绩电话会上，SK hynix指出，随着AI推理应用扩展，内存需求仍在持续高于供给。公司判断，围绕HBM、DRAM和SSD进行分层部署的数据存储架构，正在加快形成。

谈及HBM市场供需状况时，SK hynix表示，近期部分客户下调HBM堆叠层数，主要反映出当前供给依然紧张。SK hynix HBM Sales & Marketing负责人Kim Ki-tae表示，这是“需求高于供给”的典型案例，目前客户需求量已超过公司可供规模的两倍。

公司解释称，在相同容量目标下，降低堆叠层数后可获得更多HBM cube，从而支持生产更多AI加速器。与此同时，随着单颗die容量提升，堆叠层数下降对总容量的影响可在相当程度上得到弥补，因此公司对HBM中长期需求的判断并未改变。

这一需求压力也正从HBM向更广泛的存储体系扩散。SK hynix指出，随着Agentic AI应用增多以及长上下文处理需求上升，AI推理所需的KV缓存规模正在迅速扩大。SK hynix NAND Marketing负责人、副社长Song Chang-seok表示，若将KV缓存全部放在HBM和DRAM中，将面临容量和成本方面的限制，因此，按照数据访问频率在HBM、DRAM和SSD之间进行分层存储的重要性正持续上升。

公司称，SSD已经在部分AI系统中用于存放从高层内存迁移出来的KV缓存。Song Chang-seok预计，未来SSD的角色将进一步扩展，成为“上下文内存层”，以支持多台服务器和GPU共享大规模KV缓存。

针对上述变化，SK hynix计划首先通过扩大现有工艺产出来应对需求增长。在行业内部分厂商推进新型单元结构和下一代DRAM研发的同时，SK hynix将优先最大化利用当前6F²结构，再逐步过渡至4F²或3D DRAM。

公司介绍，4F²是通过缩小单元面积来提升集成度的下一代DRAM技术。同时，借助EUV工艺创新，公司已具备在6F²结构上继续扩展的空间。SK hynix DRAM Marketing负责人Park Jun-deok表示，现阶段最有效的策略，是最大化利用已经验证具备量产稳定性和成本竞争力的平台，以提升整体产品竞争力。

SK hynix还表示，公司将技术研发与量产导入分开推进。新结构能否进入产品，不仅取决于性能，还要综合考虑良率、可靠性、成本以及客户验证进度。Park Jun-deok称，应区分技术实现与实际商用时点，公司将根据各项技术的成熟度以及经济性达标情况，选择合适产品分阶段导入。

按照公司规划，DRAM将在现有持续微缩的基础上，分阶段向4F²和3D DRAM过渡，HBM也将遵循类似路径推进。HBM4E已于第二季度完成样品供应，目前正按客户节奏推进开发和验证。

SK hynix认为，下一阶段竞争的关键之一在于面向客户的设计能力。Kim Ki-tae表示，在稳定供应标准HBM产品的同时，针对不同客户系统和工作负载进行优化的定制化HBM重要性还将进一步提升。公司将依托主要客户中的核心供应商地位，以及已经验证的产品竞争力和稳定量产能力，延续HBM业务增长。

在NAND方面，SK hynix正在开发名为“SALT KV”的软件技术，用于衡量KV缓存的复用价值与存储成本，并据此确定HBM、DRAM和SSD之间的数据放置策略。同时，公司也在开发基于CXL的混合内存技术“CMM Hybrid”。从中长期看，公司还计划推进具备高带宽特性的HBF，以瞄准HBM与SSD之间的中间层级市场。

不过，HBM堆叠层数调整对盈利能力的影响仍是变量。Kim Ki-tae指出，盈利水平取决于产品交易条款、产品组合、良率、后道工艺生产效率以及成本等多项因素，不能仅凭堆叠层数作出判断。另一方面，若堆叠层数下降，为实现同等出货规模，所需cube数量将增加，base die和后道工艺投入也会相应上升。

SK hynix表示，公司已将上述变化纳入生产与供给计划，并已完成与主要客户就明年HBM出货量和价格的协商。公司预计，HBM与通用DRAM之间的盈利差距将有所收窄。随着明年HBM4占比提升、价格上涨，以及良率和成本持续改善，HBM营收和利润均有望较今年进一步增长，盈利水平也有望延续并高于上一轮周期峰值。