针对外媒有关SK hynix与Intel商谈在美国生产存储芯片的报道，SK hynix于16日回应称，目前尚无任何确定事项。
据路透社16日（当地时间）援引多名知情人士报道，SK hynix正与Intel讨论在美国生产存储芯片的方案。其中一个主要选项是，租用Intel在俄亥俄州推进中的半导体厂区部分用地，用于生产存储芯片。报道还称，另一种方案是由Intel与大型云计算企业等存储客户共同参与，设立合资公司。
对此，SK hynix表示，无论是与特定企业合作，还是在美国本土生产，目前均无定论。对于“租用Intel俄亥俄州园区部分用地”以及“设立合资公司”等方案，公司也强调，现阶段均未作出决定。
SK hynix在提供给路透社的声明中还表示，为提升存储业务的全球竞争力，公司正评估包括新增生产基地在内的多种方案，但尚未就具体事项作出决定。对于相关报道，Intel将其定性为“猜测”，未予置评。
今年7月，SK hynix通过发行美国存托凭证（ADR）在纳斯达克上市。目前，公司正投资约40亿美元，在印第安纳州西拉法叶建设下一代HBM先进封装工厂，目标是在2029年下半年实现量产。不过，该项目主要用于将韩国等地生产的DRAM产品运至当地后进行HBM封装，不涉及存储芯片前道制造环节。
此前，美国商务部长Howard Lutnick于本月2日表示，正评估对半导体产品征收关税，并称“基本上，在这里（美国）生产就不需要缴纳关税；如果不在这里生产，就必须为进入这个市场付出代价”。市场据此解读，美国正进一步强化推动半导体本土生产的政策导向。
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Suk Dae-geon
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