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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局：zHBM押注3D堆叠，HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力，Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM，以缓解数据搬运瓶颈；后者则联合SanDisk发布HBF首个标准，通过分层部署并互联不同类型存储，提升系统容量与整体效率。
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HBM供给接近瓶颈，存储赛道从拼带宽转向拼利用率
随着HBM扩产空间收窄、堆叠难度持续上升，仅靠提升带宽已难以满足AI服务器需求，行业竞争重心正转向提升现有内存资源利用率。CXL率先落地内存池化，PIM仍处于验证阶段；SK hynix与SanDisk则通过OCP发布HBF首个标准规格，分层内存架构正在加快成形。
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SK hynix与SanDisk发布首个HBF标准规范：容量最高512GB，带宽最高3.0TB/s
SK hynix与SanDisk在FMS 2026上联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范。HBF定位于HBM与SSD之间，面向AI推理等场景兼顾高带宽与大容量。根据标准，产品提供8层和16层NAND die堆叠方案，容量最高512GB，带宽约为0.4TB/s至3.0TB/s，并采用UCIe接口，通过OCP公开发布以推动行业标准化。
