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日本团队开发激光写入磁存储新材料：写入速度最高可达现有技术1000倍
日本量子科学技术研究开发机构（QST）联合兵库县立大学等机构开发出一种可通过激光脉冲改写磁存储状态的新材料。研究团队表示，该材料有望将写入速度提升至现有磁存储技术的最高1000倍，并降低功耗。其关键在于采用三层人工亚铁磁结构，在实现“光学翻转”的同时保留现有磁存储材料水平的稳定性。团队认为，该技术可应用于AI和数据中心等场景，但距离商用仍需完成器件验证、长期稳定性测试及量产工艺完善。
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Semifive与ICY Tech基于Samsung Foundry 8nm eMRAM的边缘AI芯片成功流片
Semifive与ICY Tech宣布，基于Samsung Foundry 8nm eMRAM工艺的边缘AI芯片已完成流片。双方表示，这是亚洲首个8nm eMRAM用于商用量产产品的案例。该项目将ICY Tech的PNM技术与Semifive的SoC设计平台结合，支持在设备端离线运行最高20亿（2B）参数模型，应用场景涵盖AI PC、私有AI代理和机器人等。
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韩科学技术信息通信部发布2026年上半年纳米与材料技术开发项目申报指南
韩国科学技术信息通信部30日发布2026年度纳米与材料技术开发项目新增课题申报指南。该项目全年预算为2684亿韩元，同比增长6.4%；其中新增课题总规模为475亿韩元，上半年先行启动21个课题申报，拟支持236亿韩元，申报受理截至3月3日。