搜索关键词 拓扑化学刻蚀 AI & Enterprise 延世大学教授Sim Woo-young获4月“韩国科学技术人奖” 韩国科学技术信息通信部与韩国研究财团宣布，延世大学新材料工程系教授Sim Woo-young获4月“韩国科学技术人奖”。其团队提出“阳离子共晶结构”概念，并结合拓扑化学刻蚀技术构建可供离子迁移的范德华间隙，验证了新型III-V族半导体材料可兼具电学特性与存储功能。
AI & Enterprise 延世大学教授Sim Woo-young获4月“韩国科学技术人奖” 韩国科学技术信息通信部与韩国研究财团宣布，延世大学新材料工程系教授Sim Woo-young获4月“韩国科学技术人奖”。其团队提出“阳离子共晶结构”概念，并结合拓扑化学刻蚀技术构建可供离子迁移的范德华间隙，验证了新型III-V族半导体材料可兼具电学特性与存储功能。
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