韩国科学技术信息通信部与韩国研究财团8日宣布，延世大学新材料工程系教授Sim Woo-young获评4月“韩国科学技术人奖”。

“韩国科学技术人奖”每月评选一名科研人员，表彰其在近三年取得原创性研究成果、并为科学技术发展作出重要贡献。获奖者将获得韩国科学技术信息通信部副总理兼科学技术信息通信部长官奖及1000万韩元奖金。

韩方介绍称，适逢“科学·信息通信日”所在的4月，Sim Woo-young因开发出自然界中并不存在的新结构III-V族半导体材料而获奖。III-V族半导体是由元素周期表第3族和第5族元素组成的化合物半导体。

资料显示，传统III-V族化合物半导体虽具备较高电子迁移性能，但几乎不具备离子迁移空间，因此在拓展新型电子功能方面存在局限。

针对这一问题，Sim Woo-young提出“阳离子共晶结构（cation-eutaxy）”这一新型半导体设计概念，并利用可选择性去除部分元素的“拓扑化学刻蚀（topochemical etching）”技术，构建出可供离子迁移的范德华间隙。

研究进一步证实，这类新结构III-V族半导体材料可同时具备半导体电学特性和存储功能。其中，在同一材料内同时完成存储与运算的存内计算（Compute-in-Memory）方式，有望显著降低人工智能（AI）计算能耗；同时，该材料还可模拟类似人脑神经网络的突触行为，即连接强度会随信号强度和持续时间变化而改变，因此预计可应用于神经形态AI器件。

Sim Woo-young表示，这一成果是在韩国科学技术信息通信部“未来材料发现项目”支持下推进完成的。该项目聚焦通过计算科学开展精密材料探索，并结合实验合成研究。相关成果已于2024年10月发表于国际学术期刊《Nature Materials》，并入选当期“本月研究简报”论文。

此外，Sim Woo-young去年还被任命为美国化学会（ACS）期刊《Nano Letters》副主编。

Sim Woo-young表示，由韩国研究团队首次提出自然界中不存在的新型半导体材料，意义尤为突出。未来，他希望继续开展更具挑战性的研究，推动韩国在新材料研究领域持续保持领先地位。