搜索关键词 存储密度
Industry
Micron不再推进4F² DRAM量产，转向6F²迭代与3D DRAM
Micron已决定不将研究近20年的4F² DRAM导入实际产品。公司认为，该架构在工艺复杂度、制造成本以及先进制程下的持续微缩能力方面难以满足量产要求，因此将继续沿6F²路线推进DRAM迭代，并将3D DRAM视为长期替代方向。按规划，Micron的1δ节点目标于2027年下半年进入量产。
Industry
中国技术追赶忧虑叠加2029年供应过剩预期，Samsung Electronics、SK hynix等存储股本周大跌
受CXMT推出服务器内存产品消息及2029年供应过剩预期升温影响，存储板块本周明显回调。CNBC报道显示，近5个交易日SK hynix累计下跌26%，Samsung Electronics下跌22%。多位分析师指出，当前更应关注良率和产能爬坡进展，短期内内存市场供需格局未必会被迅速改写。
Industry
CXMT公布下一代DRAM研发进展 全球存储股承压
中国DRAM厂商CXMT公布新一代存储单元架构研发进展后，市场对其技术追赶速度的担忧升温，全球存储板块随之承压。Micron美国盘前一度下跌3.7%，SK hynix与Samsung Electronics分别下跌10%和7.4%。尽管CXMT市场份额持续提升、海外扩张预期升温，但相关技术能否转化为量产能力，并进一步切入HBM市场，仍有待观察。
