Micron已决定，不再将其研究近20年的下一代DRAM架构“4F²”导入实际产品。

据Gigazine当地时间23日报道，Micron认为，随着制造流程愈发复杂、成本持续上升，加之在先进制程下进一步微缩的空间受限，与其推进4F²量产，不如将研发资源集中投入基于6F²架构的持续迭代。

这一判断来自Micron总裁兼首席技术与产品官（CTPO）Scott DeBoer在21日技术说明会上介绍的DRAM路线图。4F² DRAM因有望缩小单元面积、提升集成度，长期以来一直被视为下一代高密度DRAM的候选方案。按照理论测算，在相同工艺条件下，4F²可将单元面积缩小约33%，从而在同等面积内容纳更多存储单元。

不过，Micron在长期研发和试制后认为，4F²的量产可行性与最初预期存在差距。Scott DeBoer表示，4F²一直是Micron持续评估的技术方向，但由于制造流程更复杂、成本更高，公司此前始终未将其导入产品。

Micron判断，问题的关键并不只在于晶体管面积缩小。公司指出，DRAM整体存储密度在更大程度上取决于用于存储电荷的电容尺寸及其排列间距。Scott DeBoer表示，若将4F²与6F²之间的差异直接等同于存储密度提升，存在一定误解；电路设计需要与电容间距相匹配，同时还必须统筹工艺复杂度与制造成本。

此外，4F²在先进制程下的持续微缩能力也被Micron视为一大障碍。Micron认为，如果放在更早几代工艺条件下，4F²或许具备制造可能，但在当前最先进制程节点中，结构继续微缩将面临更强的物理限制。基于这一判断，Scott DeBoer认为，4F²难以成为长期解决方案。

因此，Micron选择继续沿6F²路线推进DRAM微缩。按照规划，公司正在开发的1δ节点计划于2027年下半年进入量产，目标是较上一代实现20%中段的存储密度提升。此后，公司还将引入晶圆键合、高数值孔径EUV光刻以及新材料，继续推动平面微缩。

从长期来看，Micron将3D DRAM视为替代方向。3D DRAM通过在垂直方向堆叠存储单元，降低对平面微缩的依赖。Scott DeBoer表示，考虑到4F²的根本性限制，行业最终仍需转向3D DRAM。不过，Micron尚未披露其商业化时间表，后续将结合制造成本、工艺复杂度和性能表现决定导入节奏。

在此背景下，下一代DRAM技术路线之争也受到关注。报道称，Samsung Electronics与SK hynix仍将4F² DRAM纳入后续技术开发规划。Micron并未否认4F²在技术上的可实现性，但从商业可行性角度看，公司已将既有结构的持续改进，以及向3D DRAM过渡，列为更优先的技术方向。