Sản phẩm HBM4E 12 tầng của Samsung Electronics. Ảnh: Samsung Electronics

Samsung Electronics ngày 8/9/2026 cho biết đã tham gia liên minh do ASML dẫn dắt để cùng phát triển photomask 12 inch, đồng thời đặt mục tiêu đưa thiết bị quang khắc High NA EUV vào quy trình sản xuất DRAM tiên tiến từ năm 2028.

Theo Samsung, hãng đã gia nhập liên minh phát triển photomask 12 inch do ASML - nhà sản xuất thiết bị quang khắc của Hà Lan - chủ trì. Mục tiêu của liên minh là phát triển thế hệ photomask mới phục vụ quy trình bán dẫn tiên tiến.

Photomask là tấm mẫu chính xác dùng trong công đoạn quang khắc để chuyển các hoa văn mạch siêu nhỏ lên wafer. Độ chính xác của photomask ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu năng cũng như tỷ lệ thành phẩm của chip.

Liên minh này được thành lập để thúc đẩy quá trình chuyển đổi từ photomask 6 inch đang được sử dụng phổ biến hiện nay sang chuẩn 12 inch. Các bên dự kiến sẽ cùng theo dõi xu hướng công nghệ toàn cầu liên quan đến thiết bị quang khắc và photomask, đồng thời triển khai nghiên cứu chung và xây dựng tiêu chuẩn mới cho ngành.

Samsung cho rằng việc kết hợp High NA EUV - dòng máy quang khắc nâng độ phân giải bằng cách tăng khẩu độ số của hệ thấu kính - với photomask 12 inch có thể khắc phục những hạn chế của kỹ thuật “stitching”, tức chia nhỏ vùng khắc rồi ghép lại. Cách tiếp cận này được kỳ vọng sẽ cải thiện năng suất sản xuất và giảm chi phí chế tạo chip.

Công ty cho biết trong bối cảnh chip bán dẫn phải bố trí chính xác hàng chục tỷ transistor ngay từ khâu thiết kế, photomask 12 inch có thể giúp khai thác tối đa năng lực của thiết bị High NA EUV, qua đó nâng hiệu quả sản xuất. Với kinh nghiệm tích lũy từ việc ứng dụng EUV ở cả mảng bộ nhớ và foundry, Samsung kỳ vọng sẽ đóng vai trò quan trọng trong quá trình chuyển đổi sang photomask 12 inch.

Ngoài ra, Samsung cho biết sẽ tăng cường hợp tác với ASML đến năm 2028 và hướng tới việc đưa High NA EUV vào sản xuất DRAM tiên tiến vào năm 2028. Đây được xem là bước đi nhằm ứng dụng dòng thiết bị này vào sản xuất bộ nhớ, sau khi công nghệ quang khắc thế hệ mới trước đó chủ yếu được triển khai trong mảng foundry.

Hai bên cũng cho biết sẽ tiếp tục tìm kiếm thêm cơ hội hợp tác trong các lĩnh vực như bộ nhớ tiên tiến và các phương thức sản xuất mới.

Jun Young-hyun, Phó chủ tịch kiêm Tổng giám đốc Samsung Electronics, cho biết kỷ nguyên AI đang làm thay đổi cục diện ngành bán dẫn và nâng tầm quan trọng của đổi mới công nghệ trên toàn bộ chuỗi giá trị. Ông nói Samsung sẽ tiếp tục duy trì vai trò dẫn dắt trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn tiên tiến, từ foundry đến bộ nhớ, đồng thời củng cố hợp tác với ASML để xây dựng nền tảng công nghệ cho “Next AI”.

Christophe Fouquet, CEO ASML, cho biết Samsung là một trong những đối tác đổi mới quan trọng nhất của ASML trong nhiều năm qua và hai bên đã cùng phát triển các công nghệ nền tảng cho ngành sản xuất bán dẫn hiện đại. Ông bày tỏ kỳ vọng ASML và Samsung sẽ tiếp tục dẫn dắt đổi mới trong sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo trong kỷ nguyên do AI thúc đẩy.

Từ khóa

#Samsung Electronics #ASML #High NA EUV #DRAM #EUV #photomask #bán dẫn #HBM4E
Copyright © DigitalToday. All rights reserved. Unauthorized reproduction and redistribution are prohibited.