SK hynix在美国推进的先进封装项目即将进入建设阶段。公司表示，将于韩国时间27日23时在美国印第安纳州普渡大学举行AI内存先进封装生产基地奠基仪式，并通过YouTube进行直播。
届时，SK hynix CEO Kwak Noh-jung等SK集团管理层及印第安纳州相关人士将出席活动。
该生产基地位于印第安纳州西拉法叶，主要面向AI内存先进封装。先进封装是将多枚芯片堆叠、互连并封装为单一产品的后道工艺，被视为影响AI内存性能的关键环节。项目总投资38.7亿美元，约合5.4万亿韩元，预计于2028年下半年实现量产。
SK hynix介绍称，印第安纳工厂将兼具生产基地和研发枢纽职能，并开展下一代技术研发。由于毗邻普渡大学，西拉法叶也被认为有助于吸引研发人才。
美国政府的支持也是SK hynix选址印第安纳州的重要因素之一。美国商务部曾于2024年宣布，已与SK hynix签署不具约束力的初步交易备忘录，拟提供最高4.5亿美元联邦支持。此后，联邦支持金额敲定为4.58亿美元。
SK hynix正同步推进忠清北道清州P&T7项目和印第安纳先进封装生产基地建设，目标是构建覆盖前道与后道工序的全球一体化制造体系。
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Daegeon Seok
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