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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局：zHBM押注3D堆叠，HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力，Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM，以缓解数据搬运瓶颈；后者则联合SanDisk发布HBF首个标准，通过分层部署并互联不同类型存储，提升系统容量与整体效率。
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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。