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Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV
Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。
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ASML开始交付4亿美元High-NA EUV光刻机，Intel率先导入
ASML已开始向晶圆厂交付新一代High-NA EUV光刻机，单台售价达4亿美元，分辨率可达8nm，数值孔径由0.33提高至0.55。Intel已于2024年春率先在俄勒冈工厂导入首台设备并展开测试，但高昂成本以及美国主导的出口管制等因素，仍可能加剧全球先进制程能力分化。
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IBM与Lam Research扩大合作 共同推进1纳米以下制程研发
IBM与Lam Research签署为期5年的合作协议，将围绕1纳米以下制程联合开展研发。双方将依托纽约Albany Nanotech Complex的研发设施与设备，重点推进新材料、工艺创新和High-NA EUV光刻技术开发，并引入干法光刻胶、刻蚀和沉积相关技术与系统，以提升先进制程及复杂器件结构的研发能力。
