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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局：zHBM押注3D堆叠，HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力，Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM，以缓解数据搬运瓶颈；后者则联合SanDisk发布HBF首个标准，通过分层部署并互联不同类型存储，提升系统容量与整体效率。
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HBM供给接近瓶颈，存储赛道从拼带宽转向拼利用率
随着HBM扩产空间收窄、堆叠难度持续上升，仅靠提升带宽已难以满足AI服务器需求，行业竞争重心正转向提升现有内存资源利用率。CXL率先落地内存池化，PIM仍处于验证阶段；SK hynix与SanDisk则通过OCP发布HBF首个标准规格，分层内存架构正在加快成形。
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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。