搜索关键词 隧穿层 Industry KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈 KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。
Industry KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈 KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。
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