搜索关键词 钨硅氮化物 Industry 中国团队称2D半导体外延生长速度提升约1000倍 迈向晶圆级制备 中国国防科技大学与中国科学院金属研究所联合提出一种新的2D半导体外延生长方案。研究通过重构化学气相沉积（CVD）工艺，并采用液态金-钨双层基底，使单原子层钨硅氮化物薄膜生长速度较传统方法提升约1000倍，薄膜尺寸达到约1.4×0.7英寸。不过，该成果目前仍停留在实验室阶段，距离无缺陷晶圆级量产和成本可控仍有差距。
Industry 中国团队称2D半导体外延生长速度提升约1000倍 迈向晶圆级制备 中国国防科技大学与中国科学院金属研究所联合提出一种新的2D半导体外延生长方案。研究通过重构化学气相沉积（CVD）工艺，并采用液态金-钨双层基底，使单原子层钨硅氮化物薄膜生长速度较传统方法提升约1000倍，薄膜尺寸达到约1.4×0.7英寸。不过，该成果目前仍停留在实验室阶段，距离无缺陷晶圆级量产和成本可控仍有差距。
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