搜索关键词 硅通孔（TSV）
Industry
Applied Materials推6款新设备，发力HBM与Chiplet良率提升
随着AI芯片带动3D堆叠需求升温，Applied Materials发布6款面向先进封装与DRAM工艺的新设备，并升级“Centura Prime”外延（Epi）系统。相关产品覆盖CMP、ECD、PECVD及电子束量测等关键环节，重点提升HBM和Chiplet制造中的工艺稳定性与良率。
AI & Enterprise
Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术，瞄准HBM替代方案
Intel计划通过将在VLSI会议上发表的论文介绍Z Angle Memory（ZAM）技术。这是一种采用9层垂直堆叠和融合键合工艺的新型存储方案，目标是在提升带宽的同时降低功耗。该技术由日本Saimemory Corporation推进商业化，性能据称可达到HBM3的2至3倍，但量产验证和生态竞争仍存不确定性。
Industry
Rambus推出HBM4E内存控制器IP，缓解AI带宽瓶颈
Rambus发布HBM4E内存控制器IP，面向新一代AI加速器、GPU和高性能计算系统。该方案支持单引脚16Gbps传输速率，单个HBM4E堆栈带宽最高可达4.1TB/s；在8堆栈配置下，总带宽可超过32TB/s。
