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Industry
中国高纯钨出口管制趋严，WF6供给波动加剧HBM与AI芯片供应链压力
随着AI数据中心和服务器投资持续扩张，半导体刻蚀、沉积等关键工艺所需的电子特种气体供需日趋紧张。受中国高纯钨出口管制影响，日本WF6供应稳定性承压，HBM、DRAM、3D NAND及先进逻辑芯片生产面临新的供应链风险。机构指出，短期替代供给有限，相关产品价格已明显上涨。
Industry
Applied Materials推6款新设备，发力HBM与Chiplet良率提升
随着AI芯片带动3D堆叠需求升温，Applied Materials发布6款面向先进封装与DRAM工艺的新设备，并升级“Centura Prime”外延（Epi）系统。相关产品覆盖CMP、ECD、PECVD及电子束量测等关键环节，重点提升HBM和Chiplet制造中的工艺稳定性与良率。
AI & Enterprise
Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术，瞄准HBM替代方案
Intel计划通过将在VLSI会议上发表的论文介绍Z Angle Memory（ZAM）技术。这是一种采用9层垂直堆叠和融合键合工艺的新型存储方案，目标是在提升带宽的同时降低功耗。该技术由日本Saimemory Corporation推进商业化，性能据称可达到HBM3的2至3倍，但量产验证和生态竞争仍存不确定性。
