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AI & Enterprise
Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术，瞄准HBM替代方案
Intel计划通过将在VLSI会议上发表的论文介绍Z Angle Memory（ZAM）技术。这是一种采用9层垂直堆叠和融合键合工艺的新型存储方案，目标是在提升带宽的同时降低功耗。该技术由日本Saimemory Corporation推进商业化，性能据称可达到HBM3的2至3倍，但量产验证和生态竞争仍存不确定性。
Industry
Rambus推出HBM4E内存控制器IP，缓解AI带宽瓶颈
Rambus发布HBM4E内存控制器IP，面向新一代AI加速器、GPU和高性能计算系统。该方案支持单引脚16Gbps传输速率，单个HBM4E堆栈带宽最高可达4.1TB/s；在8堆栈配置下，总带宽可超过32TB/s。
Industry
据传NVIDIA Rubin CPX或改用HBM，GDDR7方案再添变数
市场消息称，NVIDIA下一代AI推理加速器Rubin CPX可能放弃原先的GDDR7方案，转而采用HBM。若这一调整属实，SK hynix与Samsung Electronics的HBM供需预期或将随之重新评估。随着推理负载持续扩张，数据中心对内存带宽和容量的要求不断提高，而GDDR7的容量上限及早期供应稳定性，也成为市场关注的焦点。
